当前市面上已经有较成熟的自举驱动芯片来满足设计需求,但是其驱动芯片的耐压等级受限,最高电压只能到600V左右。在更高输入电压等级的应用场合中,比如光伏电源、SVG辅助电源等输入电压达到1500V甚至更高的电源产品设计时,驱动芯片的方案就不再适用,只能选择磁隔离变压器驱动电路。因此磁隔离驱动电路的设计极其重要。 常用...
焉啊如何设计满足超宽超高压输入电源的磁隔离驱动电路。/上猒产琂鞑鷋荆А猐S玫拇鸥衾肭桨稪⋯罷唬一×%%:海唬ィ一ァǜ糁贝鸥衾肭缏热门技术阒萁鹕艨萍加邢薰荆阒激、榷嗫9毓艿耐仄酥校9毓芮枰W应用场合中,例如光伏电源、ㄖ缭吹仁淙氲输出匝比为蛭忍笔淙攵酥绷鞲衾氲缛輈幅值为ァ%.籇粒...
这样,这种驱动器电路不适合应用在占空比变化较大的场合,即输入比范围大的应用条件下,图1所示的驱动电路将不再适用。 双隔直磁隔离驱动电路 为了解决上述难点问题,需要在图1所示的磁隔离驱动电路次级边也添加隔直电容,如图3所示。 相对图1的磁隔离驱动电路而言,添加了次级的直流隔直电容C2和开关二极管DR。稳态时输入...
相对图1的磁隔离驱动电路而言,添加了次级的直流隔直电容C2和开关二极管DR。稳态时输入端隔直电容C1上的电压VC1=D.VS1,输出端隔直电容C2上的VC2=D.VS1。其电压参考方向如图3所示。 。可知,稳态后QM的电压V3不随占空比变化而改变,适合更宽范围输入条件的驱动设计。