MRSI-H-LD设计了一种自平衡的吸头,通过在整个贴片表面上施加均匀的压力来降“低微”笑曲线效果,从而保持了激光芯片与基板的准确共面。图5显示了已封装的激光bar条的平面度轮廓。在发出激光出射的前端面边缘处,平坦度在130μm±1μm的范围内,机械“微笑”曲线在<2μm范围内,这对于AuSn共晶贴片是可接受的。低...
下面以TO(transistoroutline)封装VCSEL和裸芯片VCSEL为例,通过直流功率转换效率公式,得到脉冲条件下VCSEL功率转换效率公式,对比两种封装对VCSEL脉冲功率转换效率的影响。 TO封装VCSEL激光器工艺 TO封装VCSEL如图1、2所示。基板被分为两部分,其中一部分通过焊料与VCSEL底部电极直接贴合,另一部分通过金线与VCSEL顶部电极建立电气...
1、 大功率半导体激光器封装技术发展趋势及面临的挑战刘兴胜,杨林,张艳春(西安炬光科技有限公司,陕西 西安,710119本文综述了现有高功率半导体激光器(其中包括单发射腔,bar 条,水平阵列和垂直叠阵)的封装技术,并讨论其发展趋势。分析半导体激光器封装技术存在的问题和面临的挑战,并给出解决问题和迎接挑战的方法和策略。
激光器的封装温度通常在20 ~ 30℃之间,不同型号的激光器的封装温度也会有所不同。 一、大功率激光器封装温度的影响 大功率激光器的封装温度是影响其性能和寿命的重要因素之一。通常情况下,激光器的性能越稳定,其使用寿命就越长。而激光器温度的变化会导致激光器的性能变化,最终影响使用寿命。因此...
随着大功率半导体激光器逐步在显示照明、医疗、传感等领域获得越来越多的应用,产业界对封装的要求也越来越多,瑞波光电在500mW-1W级(连续)和6W-140W(脉冲) TO56封装器件的基础上,近日开发出更大功率的TO9封装器件,支持638nm/665nm/808nm/940nm/1470nm/1550nm等波长。
本发明提供一种大功率激光器用封装外壳制造工艺,首先加工制作散热底板以及配件,对各配件进行净化后通过高温真空装置在930‑950℃下进行高温负压处理;然后在各配件表面进行第一次镀镍,并在920℃‑980℃以及纯惰性气氛保护下进行高温考核处理;再在各配件表面进行第二次镀镍;最后通过银铜钎焊、不锈钢模具将散热底板和各...
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摘要 本发明涉及一种大功率线阵激光器的封装结构,其包括呈一条直线等间距排列的多个半导体巴条线阵激光器,相邻的2个半导体巴条线阵激光器呈反向设置,所述半导体巴条线阵激光器的p面电极通过热沉与一侧相邻的半导体巴条线阵激光器的n面电极串联连接,所述半导体巴条线阵激光器的n面电极通过热沉与另一侧相邻的半导...
摘要 本发明提供一种大功率激光器用封装外壳制造工艺,首先加工制作散热底板以及配件,对各配件进行净化后通过高温真空装置在930‑950℃下进行高温负压处理;然后在各配件表面进行第一次镀镍,并在920℃‑980℃以及纯惰性气氛保护下进行高温考核处理;再在各配件表面进行第二次镀镍;最后通过银铜钎焊、不锈钢模具将散热底板...
摘要 本实用新型公开了一种半导体大功率激光器封装模组,具体涉及半导体大功率激光器技术领域,包括外壳以及设置在外壳端部的光窗,外壳内侧的中部位置设置有内热沉,内热沉的外侧设置有围绕内热沉的电接触片,电接触片的外侧设置有围绕电接触片的外热沉;内热沉外侧壁的周向设置有多个内激光芯片,内热沉作为内激光芯片的正极...