一、多栅场效应管晶体管的基本架构 多栅场效应管晶体管的基本架构包括源极、漏极、栅极和沟道等关键部分。与传统晶体管不同的是,多栅场效应管具有多个栅极,这使得其能更精确地控制电流,从而提高晶体管的工作效率。 二、多栅设计的优势 多栅设计的优势在于其能够提供更好的电...
中国中芯国际的N+1工艺采用混合多栅结构,相较14纳米制程性能提升20%,功耗降低57%。全球专利申请数据显示,2018至2023年间共多栅晶体管相关专利年均增长率达34%,三星电子以2156件专利位列榜首。 未来发展方向聚焦于二维异质结与三维集成技术的融合,麻省理工学院团队已实现二硫化钨/氮化硼异质结构的垂直晶体管,开关比...
该团队报道了一种采用一种多端晶体管器件实现储备池计算的方案。其中储备池层是通过双侧栅对沟道的协同调控实现,读出层则通过底栅对沟道电导的连续改变来实现。 图1.并行储备池架构和MTEGT的示意图 3.2底栅工作模式下晶体管的突触性能测试 得益于底栅模式下晶体管在不同电压范围内能够通过静电调控和电化学掺杂机制...
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一种二维材料半导体晶体管多栅结构 描述 直观上很容易理解的一点是:二维材料解决了硅基材料纵向尺寸继续缩小的问题,构筑沟道材料的单层二维半导体的厚度最小可至1 nm以下。 当然由于很强的短沟道抑制能力,二维材料的横向沟道尺寸也可以做到1 nm以下,这个我们后面可以出一期文献讲解如何实现超小沟道尺寸的具体方式。
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金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“具有多栅极晶体管结构的半导体装置“，授权公告号CN109037202B，申请日期为2018年6月。专利摘要显示，本申请公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区及其之间的分离区。单元...
多栅极隧道场效应晶体管(TFET)(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN106910768A (43)申请公布日 2017.06.30 (21)申请号 CN201611103068.8 (22)申请日 2016.12.05 (71)申请人 IMEC 非营利协会 地址 比利时勒芬 (72)发明人 M·A·普尔加德里;A·阿莲 (74)专利...
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专利权项:1.一种多栅极环绕晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在绝缘模板上制备至少一个第一孔,并在所述绝缘模板上制备至少T个第二孔;每个所述第一孔的四周环绕有T个所述第二孔;T为大于等于2的整数;所述第一孔为盲孔;在所述第一孔中沉积半导体纳米线,并在所述第二孔中沉积栅极纳米线,以得到所述多栅极...