多晶碳化硅因晶界大量存在,导致光线在晶粒间产生漫反射与干涉效应。其颜色通常较单晶更深且不均匀,可能出现深黄、墨绿、藏蓝甚至黑色,局部常伴随色块或渐变现象。 三、颜色差异的微观结构解释 单晶的完整晶格使光线定向透过,颜色纯净度较高;多晶的晶粒无序排列则...
1. 结构不同:多晶碳化硅由多个单晶体或多晶体组成,而单晶碳化硅是由一个单晶体制成。 2. 物理性能不同:多晶碳化硅的晶粒越大,则强度越高,但导热性却会下降。而单晶碳化硅的热导率较高,电性能也更好。 3. 应用场景不同:多晶碳化硅适用于高压电器和高温部件等领域,而单晶碳化硅适用于...
高量单晶碳化硅(SiC)应用广泛在电力电子领域,由于其优异的击穿电场强度和高热导率。然而,芯片制造过程中的反向研磨通常导致≈70%的单晶SiC被浪费,导致SiC芯片成本高。为了提高利用率,采用单晶SiC。多晶SiC(…
碳化硅多晶原料晶体结构多样，常见有六方等 。它的导热系数较高，可达100 - 400W/(m·K) 。多晶原料中碳化硅纯度一般在95%以上 。原料粒度分布范围影响着后续加工性能 。碳化硅多晶原料颜色多为黑色或绿色 。其密度大约在3.2 g/cm³左右 。多晶原料的晶型转变温度在一定区间内 。碳化硅多晶原料中杂质含量需...
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海微釜半导体设备有限公司申请一项名为“多晶碳化硅生长装置及生长方法”的专利，公开号 CN 119352164 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明涉及多晶碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种多晶碳化硅生长装置及生长方法，其中，多晶碳化硅生长装置包括生长炉、...
热壁加热通常能提供更均匀的温度分布,有利于多晶碳化硅的均匀沉积。 2. 设定初始温度:在开始CVD过程之前,需要将反应室加热到预定的初始温度。这个温度应该高于碳化硅的沉积温度,以确保反应室内的气体能够充分裂解。 3. 控制沉积温度:在沉积过程中,需要精确控制反应室的温度。这通...
碳化硅的六方晶系结构存在多种多型变体(如4H-SiC、6H-SiC),不同多型在生长过程中易因能量竞争形成晶界。生长方向偏离主轴向时,相邻晶畴的取向差异会引发多晶团聚。二、工艺参数对结晶形态的影响 1. 原料纯度:金属杂质(如铝、铁)会破坏晶格周期性,形成非均匀成核中心 2. 温度场分布...
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多晶碳化硅是由大量晶粒组成的材料,晶粒之间存在晶界。它通常具有较高的杂质含量和较高的晶界密度,这可能导致其电学和热学性能略微下降。然而,多晶碳化硅具有较高的生长速率和较低的制备成本,并且容易大面积制备,因此广泛应用于陶瓷工业、合成钻石制备、耐火材料等领域。 单晶碳化硅是由一个完整的晶体构成的材料,晶界少...