低温多晶硅技术允许在相对较低的温度下将非晶硅转化为多晶硅,低温多晶硅玻璃基板上的晶体结构提供了更高的电子迁移率,这转而使得显示器能够拥有更高的分辨率、更快的响应时间和更低的功耗。 低温多晶硅玻璃基板行业是平板显示器(FPD)领域的关键组成部分,尤其适用于高性能显示面板。与传统非晶硅(a-Si)技术相比,低温多晶...
a-Si:H表示氢化非晶硅，c-Si表示单晶硅。a是amorphous非晶的意思，c是crystal晶体的意思。hydrogenated amorphous silicon，代表氢化非晶硅H代表氢化，a代表非晶体氢化非晶硅，a是amorphous的首字母，“非晶的”意思H可能表示异质结反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
作者: 液晶面板的背板工艺根据使用的材料不同,主要分为三种:a-Si非晶硅材料、LTPS低温多晶硅、Oxide金属氧化物,如果仅从材料价格对比的话,a-Si非晶硅材料成本最低,LTPS低温多晶硅次之,Oxide金属氧化物最贵。 近期面板厂在中小尺寸领域的氧化物背板技术上动作频频,打入高端显示产业的决心坚定。 但由于使用金属氧化物工...
光伏行研报告:《PECVD法掺碳多晶硅薄膜在钝化接触硅电池中的应用》 多晶硅薄膜质量改善: 1、薄膜爆膜的原因: SiOx层与衬底的粘附力差; a-Si:H退火时H的溢出; 退火过程中应力积聚。 2、C掺杂抑制爆膜的机制: 降低薄膜晶化率,减少应力积累; 抑制H溢出; 形成更稳定的化学键。 3、薄膜C掺杂提升器件性能的机制: ...
a - S i ∶ H 薄膜 , 经 5 5 0 ℃ 的 低 温 退 火 , 可 以 制 备 平 均 晶 粒 尺 寸为几百 n m , 最大晶粒尺寸为 2 μ m , 电导率为 1 . 6 2 ( Ω · c m ) - 1 的 优质多晶硅薄膜 。 关键词 : 多晶硅薄膜 ; 衬底温度 ; 掺杂比 ; 晶化温度 ; 晶粒尺寸 中图分类号 ...
多晶硅(Poly- Si)多晶硅(Polycrystalline Silicon,简称Poly)是由无数微小硅晶粒组成的非单晶硅材料。与单晶硅(如硅衬底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在几十到几百纳米之间,晶粒间存在晶界。多晶硅的合成方法:LPCVD工艺低压化学气相沉积是制备多晶硅的主流技术,其核心是通过硅烷(SiH...
使用垂直非晶硅(a-Si)偏移的多晶硅(poly-Si)薄膜晶体管(TFT's)无需额外的光刻工艺即可制成。通过在a-Si的准分子激光重结晶过程中通过薄的自然氧化膜利用多晶硅晶粒的生长阻挡效应形成了a-Si偏移。与传统的多晶硅TFT相比,经过4小时的电应力后,新器件的导通电流降低了至少5倍。
工艺发现BHF有刻蚀多晶硅，而且刻蚀速率快于氧化硅，望大神告知 发自小木虫IOS客户端
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Poly-Si多晶硅在电子器件中有着广泛的应用。由于其具有较高的介电常数和较低的损耗因子,多晶硅是制造高性能电容器的理想材料。此外,多晶硅还可以用于制造电阻、电容和电感等器件,为电路提供必要的功能。同时,多晶硅还可以用于制造电磁屏蔽材料,减小电磁干扰对电路的影响。 二、光...