与电阻型多态存储器相比,由于电耦值可以从正到负分布,因而忆耦器具有更高的存储密度和容错度。此后,他们采用简单金属Ni来替代复杂贵重合金Terfenol-D (Tb0.28Dy0.72Fe1.95),制备了Ni/PMN-PT/Ni忆耦器,实现了非易失性两态和多态存储器。更为重要的是,他们基于单个Ni/PMN-PT/Ni忆耦器实现了非易失性通用逻辑...
不同的是，经典的逻辑门的输入和输出必须是经典状态，而量子的是量子状态。举个例子会好一点：...
孙阳研究组分别基于多种磁电耦合介质制备了几种忆耦器,并在忆耦器中实现了室温下两态和多态信息存储,多态存储器因为在每个存储位上可以存储2n个状态,因而具有更高的存储密度和容错度。他们基于单个忆耦器实现了非易失性通用逻辑门。这...
3) 适配器模式:把一个类的接口变换成客户端所期待的另一种接口,从而使原本因接口不匹配而无法在一起使用的类能够一起工作。4) 模板方法模式:提供一个抽象类,将部分逻辑以具体方法或构造器的形式实现,然后声明一些抽象方法来迫使子类实现剩余的逻辑。不同的子类可以以不同的方式实现这些抽象方法(多态实现),从而实现...
近期,中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室孙阳研究员、尚大山副研究员和柴一晟副研究员等提出了另一种非易失性器件—忆耦器(memtranstor),并在单个忆耦器上分别实现了两态存储、多态存储和布尔逻辑运算。忆耦器是一种基于非线性磁电耦合效应的...