--after hard_reset write_flash -z --flash_mode dio *烧写模式* --flash_freq 40m *频率* --flash_size detect 0x1000 /home/aithinker/project/esp-idf-v2.1/examples/get-started/hello_world/build/bootloader/bootloader.bin *编译文件以及烧录地址 0x1000* 0x10000 /home/aithinker/project/esp-idf-...
1. 确定STM32H750VBT6支持的外扩Flash类型及接口 STM32H750VBT6支持通过多种接口外扩Flash,其中常用的接口包括QSPI(Quad-SPI)、**FMC(Flexible Memory Controller)**等。QSPI接口适用于高速的串行NOR Flash,而FMC接口则支持SRAM、PSRAM、NAND Flash和NOR Flash等多种类型的外扩存储器。 2. 选择合适的外扩Flash...
客户使用STM32H750VBT6,通过 QSPI 外扩了一个 4M 的 NOR FLASH,采用memory map 模式。当程序跳转运行到外设 FLASH 后,大约两个小时后程序死机。 客户使用的 IDE 是KEIL,此问题可以固定重现。在 KEIL 调试模式下重现问题时,通过多次观察发现,程序死的位置总体上会停在两个位置,并不是同一个位置。一个是TIM15...
毕竟DSP有的是支持SPI的，我觉得应该可以外扩flash吧
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DSP5509A外扩flash高地址用IO口扩展问题 我外扩的flash地址总线是A0-A18,由于5509A地址不够,只能用McBSP1和2的部分引脚当做IO口连接到了 flash的高位地址上了,现在情况是上地启动的时候偶尔会从外扩flash启动,很多时候都无法启动,现在 怀疑是这些扩展地址上电瞬间不是地电平,这怎么处理?怎么保证在启动之前将这些...
我用的是TM4C123系列的单片机，256K。我怕空间不够，想外扩flash，有以下几点问题：1.一般256K的...
在开发STM32 时,往往在很多种场景下都需要外扩FLASH,典型场景就是开发图形 应用时,需要耗费大量来存放图形资源的存储器,很多客户会选择将图形资源放在外扩的FLASH 中,那么在开发阶段也就难免需要对这样的工程进行下载和调试,当选择 STM32CubeIDE 时,我们又应当如何设置呢? Array Array 下载并关注上传者 开通VIP...
这几天一直在调试外部存储器,也积累了一些经验和教训,养成良好的习惯,将这些记录下来。我用的FLASH是AM29LV160DB-90EC,主要管教功能: A:地址线 DQ:数据线 DQ15/A-1:如果是字(16位)读写模式,该位作为数据最高位,如果是字节(8位)读写模式,该位作为地址最低位,在我的电路中采用字节读写模式,所以作为地址...
在外扩flash中放程序的很少，因为总线的速度远远低于单片机内部的速度，所以效率低，更不会像你说的那样写入外部（虚拟内存？）外扩ram的读写和使用内部时的一样，你只要设置好编译器指明外部ram的位置和大小就行了。因为flash的速度是跟不上cpu的速度的，在读flash时就有延迟，所以仿真正常但烧写就不...