其中,分子束外延量子点(MBE Quantum Dots)作为一种特殊的纳米结构材料,具有许多独特的物理性质和广泛的应用前景。 一、MBE Quantum Dots的基本原理 MBE Quantum Dots的基本原理是利用分子束外延技术,在二维材料上生长呈点状的纳米结构。其过程是在高真空环境下,将所需原子或分子的束流蒸发到表面上,并通过超
半导体量子点材料的制备和以其为基础的新型信息器件是信息科技前沿研究的热点。 近期,在中国科学院半导体研究所王占国院士的指导下,刘峰奇研究员团队等在量子点异质外延的研究方面取得重要进展。研究团队以二维材料为外延衬底,基于分子束外延技术,发展出范德华外延(van der Waals epitaxy)制备量子点材料(图1)的新方案。
含有量子点的III-V族半导体材料薄膜可以加工成光学波导和光学微腔,从而实现与量子点的单片集成;量子点也可以通过混合集成的方式与发展更为成熟的集成光子材料平台相互耦合,从而融合量子点和集成光学平台各自的优势。其中,光量子器件的可重构性对于量子信息处理应用至关重要,本篇综述以光子开关为例,总结了与量子点兼容的...
分子束外延量子点的制备及其特性PreparationandpropertiesofmolecularbeamepitaxialquantumdotsXXX2024.05.19Logo/Company 分子束外延技术是微纳结构制造的重要手段之一。分子束外延技术概述01Contents目录分子束外延量子点具有高度可控性和优异的光电性能。分子束外延量子点特性03安全性与环境影响评估是实现可持续发展的关键环节。
硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延 由于量子点具有很强的三维量子限制效应,因此对位错的容忍度较高,目前其作为有源区的硅基量子点激光器在阈值电流、温度稳定性和寿命等关键指标上均展现出优异特性,有望成为1.3 μm波段硅基光源的最终解决方案。 北京邮电大学研究团队2021年为了进一步提高Si基量子点激光器的性能,...
在磷化铟(InP)衬底上生长的砷化铟(InAs)量子点(QD)有望用于光纤通信的光电器件和室温操作红外光电探测器等。量子点即半导体纳米晶体(NCs),是指半径小于或接近激子玻尔半径的三维约束纳米材料。胶体量子点(CQDs)在光电应用领域具有明显的量子约束效应,可以为液相
分子束外延量子点及其作为太阳电池和单光子源的应用 分子束外延技术是一种在超高真空环境下精确控制原子沉积的工艺。利用这种技术，科学家能在基底表面逐层生长出纳米级别的半导体晶体结构，形成被称为量子点的微小粒子。这些量子点尺寸通常在几纳米到几十纳米之间，具有量子限制效应，使其电子行为与传统材料呈现明显差异...
6月25日消息，近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物...
液滴外延技术也是一种选择,但S-K模式生长的量子点因其无缺陷特性和较高的发光效率,更适合用作单光子源。InAs/GaAs量子点体系支持多种关键量子光学实验,例如单光子发射、量子密钥分发以及光子阻断等。这些实验成果奠定了量子信息处理和量子光学器件的基础。