它是一种材料制备技术,旨在精确控制生长层特性。外延生长可通过化学气相沉积等多种方法实现。分子束外延是外延生长中一种高精密的技术手段。选择合适衬底对外延生长的质量起着关键作用。衬底的晶格结构会影响外延层的生长取向。温度是外延生长过程中重要的工艺参数之一。不同外延生长方法对温度的要求差异较大。气体流量在...
分子束外延 (MBE):在超高真空中,将构成薄膜的各种元素加热蒸发,形成原子或分子束,精确控制这些束流射向加热的衬底表面,从而实现高质量的外延生长。MBE的特点是生长速率慢、精度高、控制性好,适用于生长超薄层、超晶格等复杂结构。 溅射外延:利用等离子体轰击靶材,将靶材原子溅射出来,沉积到衬底表面形成薄膜。溅射外延...
硅外延片行业技术壁垒较高,生产工艺流程较为复杂,需经过衬底材料制备、切割、研磨、外延片生长、光刻、离子注入、检测等流程。外延片生长为硅外延片制造关键环节,采用气相外延法,将含硅氢气放入熔炉中,经过高温分解,产生出硅原子,在衬底硅表面上外延生长。在技术创新推动下,外延片生长工艺已逐渐发展成熟,低温外延、分子...
外延生长_精品文档 LED制造系列之---外延生长 外延生长的定义与种类 定义：外延生长就是指在某种起始单晶（衬底）上生长具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的过程 1.液相外延（LPE）2.金属有机化学汽相沉积（MOCVD）3.分子束外延（MBE）4.化学分子束外延（CBE）液相外延（LPE）液相外延是指在某种饱和或过饱和...
在高亮度发光二极管(LED)的制造中,外延生长用于在蓝宝石或碳化硅衬底上生长氮化镓(GaN)层,从而实现高效发光。同样,基于砷化镓的高速电子器件和光电器件也依赖外延技术,提供了高速、高性能的解决方案。 此外,外延生长技术还用于制备量子点和纳米线等新型材料结构,这些材料在未来的量子计算和纳米电子学中具有广阔的应用前景...
外延生长(Epitaxial Growth)是集成电路制造中的一项重要技术,它用于在硅片上生长出具有高质量晶体结构的硅或化合物半导体层。这项技术对于制造高性能的集成电路和器件至关重要。以下是关于外延生长的一些关键信息: 1. 技术原理 ·外延生长是一种在单晶衬底上生长出与衬底具有相同晶体结构的材料的技术。
金属表面外延生长是指在较低覆盖度下，外来金属原子在基底金属表面上沉积时，一般会形成有序（1×1）结构的覆盖层，这意味着基底作为模板对沉积物的生长模式有重要影响，这种薄膜生长方式称为外延生长；具体说，所谓“外延生长”是指基底把它的品体结构、取向和品格参数施加予外延生成层，这样的定义当然有一定的局限...
1.液相外延生长方法 液相外延生长是一种基于溶液的生长方法,通过将溶液中的材料沉积在晶体衬底表面来实现生长。在生长过程中,溶液中的材料原子逐渐结晶并沉积在衬底上。这种方法可以用于生长多种材料,包括硅、镓、锗等。通过改变溶液的成分、温度和压力等参数,可以控制晶体生长的形状、尺寸和取向等属性。 2.气相外延生...
GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。当前GaN的外延生长方法有：氢化物外延生长法（HVPE）]、分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积法（MOCVD），其特点如下表2-1所示。1.1 金属有机物气相沉积法（MOCVD）MOCVD（金属有机物...