2. 外延层厚度的影响因素:厚度主要由生产工艺和器件设计要求决定。生产工艺的稳定性和精度直接影响到外延层的厚度;而器件设计要求则会根据具体的应用场景来确定所需的厚度。 三、外延层电阻率与厚度的应用差异 在实际应用中,外延层电阻率和厚度对半导体器件的性能有着不同的影响。电阻率直...
外延层厚度的不同会直接影响半导体器件的载流子注入量和扩散深度,进而影响到器件的电学性能,如导通特性和截止频率等。当外延层过厚时,会导致电流在表面弥散而难以注入活性区,从而使得器件的导通特性变差。外延层过薄则会导致载流子注入量不足,使得器件的导通特性受到限制。 二、外延层...
延层厚度应满足Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深Xjc、集电极耗尽区宽度Xmc、埋层扩散上推距离TBL-up和为外延淀积后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度tepi-ox。反馈 收藏
随着外延生长技术的进步,SiC外延层厚度也从几µm发展到上百μm,也从同质外延发展为异质等多种晶体。 对外延片品质影响最大的是外延层的厚度以及电阻率的均匀性,因此在实际生产中对延片的厚度进行测量是很重要的一环。 碳化硅外延厚度测定原理 在硅同质/异质外延生产中,红外傅立叶变换光谱技术(FTIR)是测试硅外延...
功率器件根据器件工作电压,外延层厚度基本都在微米量级,工作电压越高外延层厚度越厚,而红外光波长1-20微米,刚好跟微米尺度厚度的宽禁带化合物半导体外延层厚度相当,可以在此波段获得外延层的光学特征。 利用红外反射光谱法可测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状...
一、什么是外延层? 外延层是光电子器件的关键部件之一,它是由硅晶体生长而成的一层薄膜,用于制造光控件。光控件是一种可以控制或调节光的器件,其用途广泛,包括传感、通信、光存储、光计算等领域。 二、外延层厚度对芯片性能的影响 外延层厚度是影响芯片性能的重要因素之一。不同的厚度会影响芯片的不同性能...
外延层厚度会影响半导体器件的载流子浓度和迁移率。在一定范围内,外延层厚度越大,载流子浓度越高,迁移率越低;外延层厚度越薄,载流子浓度越低,迁移率越高。因此,在设计器件时需要根据实际情况选择合适的外延层厚度,以获得最佳的电性能。 2. 光学性能 外延层厚度还会影响半导体器件的光学...
本文件规定了碳化硅衬底上同质外延层厚度的红外反射测量方法。 本文件适用于同质碳化硅外延层厚度的测试,测试厚度范围为2μm-200μm。 2.规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的 引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(...
GBT42905-2023碳化硅外延层厚度的测试红外反射法 星级: 7 页 GBT-碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 星级: 7 页 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 星级: 5 页 GBT 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 星级: 7 页 GBT 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 星级: 页 GBT 42905...