堆积,耗尽,反型 在金属-半导体接触中,外加电压改变表面势,进而影响空间电荷区的电荷分布状态: 1. **堆积状态**:当外加电压使多数载流子在半导体表面积累,形成高浓度电荷区(如n型半导体加负电压时电子堆积)。 2. **耗尽状态**:电压导致多数载流子被排斥,形成由电离杂质主导的无载流子区域(如n型半导体加正电压...
百度试题 结果1 题目分别绘出工作在堆积、耗尽和反型模式下的n型衬底MOS电容的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析 答:堆积模式: 耗尽模式: 反型模式:反馈 收藏
对于p型理想MIS结构: 1. **多子堆积**(空穴堆积):当金属电极施加负电压时,表面电势ϕs < 0,导致能带向上弯曲,表面空穴浓度高于体内,形成堆积。 2. **多子耗尽**(空穴耗尽):施加较小正电压时,0 < ϕs < 2ϕF,表面空穴被排斥,形成耗尽层,但尚未触发反型。 3. **反型**:施加足够大正电压,表面...
题目 A.多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态,少数载流子反型状态B.少数载流子反型状态,多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态C.多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态D.少数载流子反型状态,多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏 ...
百度试题 题目pn结空间电荷区又称为( ) A. 反型层 B. 耗尽层 C. 堆积层 D. 以上都不对 相关知识点: 试题来源: 解析 在MIS结构中,平带状态指的是( ) A. VG=0, VS=0 B. VG<0, VS<0 C. VG=>,VS<0 D. VG<0,VS>0反馈 收藏