半导体器件物理:缓变基区BJT的基区自建电场#半导体 学习电子 194 11 #simulink 5.4差分及离散微积分 虎哥电子 2400 62 3 倒易点阵的范例(2)#硬声创作季 学习电子 1314 11 同是电场力,加在导体和绝缘体身上,有何区别?#硬声创作季 李皆宁讲电子 1243 17 stm32f103c8t6仿真OLED显示数字汉字图片#单片机 油泼辣
在npn缓变基区晶体管基区中内建电场形成的过程如下：电子和空穴的转移在N型和P型各边分别留下没有载流子补偿的固定的施主离子和受主离子，结果建立了两个空间电荷层。
缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
解扩散方程导出集电区少了空穴分布公式(3-25),电流公式(3-26)4•导出NPN缓变基区晶体管:1) 基区的缓变杂质分布引入的自建电场:2) 基区内电子分
百度试题 题目BJT大注入情况下不会引起( )。? 自建电场有效基区扩展效应基区电导调制效应基区宽度调制效应 相关知识点: 试题来源: 解析 基区宽度调制效应 反馈 收藏