功率循环传统的功率半导体器件封装结构通常会采用铝(Al)线键合,这就导致了器件电路寄生电感大和可靠性问题,限制了碳化硅(SiC)功率器件的发展.有研究人员提出了一种新型的铜夹互连工艺,可实现双面散热和提高器件的功率密度,但目前的研究主要集中在其热性能和可靠性方面,缺少对结构设计的优化研究.因此,有必要对多芯片铜...