1.一种基于反相器结构的放大器,其特征在于:包括栅极互相连接的NMOS管I、NMOS管II、PMOS管I和PMOS管II,所述NMOS管I的源极与NMOS管II的漏极连接,NMOS管I的漏极与NMOS管II的衬底相连,所述NMOS管I的漏极还与PMOS管I的漏极连接,NMOS管I的衬底接地,PMOS管I的衬底与电源连接,PMOS管I的源极与PMOS管II的漏极连...
本发明将传统的米勒电容Cm分裂为Cm1和Cm2两部分,以此来完成运算放大器的频率补偿;其中第一频率补偿电容Cm1连接于第一级运放的输出端和整个两级运算放大器的输出端之间,第二频率补偿电容Cm2连接于第一级运放中NMOS管M2N的源极和NMOS管M4的漏极连接点与整个两级运算放大器的输出端之间.本发明非主极点与寄生参数无...
本发明提供一种基于反相器结构的放大器,与传统放大器相比可以对输出端的电压变化进行补偿,在输出端的电压在工艺角发生变化的情况下,依然能够保持相对稳定,使放大器始终能提供相对稳定增益,同时本发明使输出端的直流工作点电压可以唯一确定,不需要额外的共模反馈电路;本发明具有结构简单,电路容易实现的优点,可以减少电压裕...
,尤其涉及一种基于反相器结构的放大器。背景技术::模拟集成电路是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。通常的模拟集成电路的主要构成电路有:放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。近年来,随着模拟集成电路工艺技术的不断发展,模拟集成电路的特征尺寸不断...
本发明将传统的米勒电容Cm分裂为Cm1和Cm2两部分,以此来完成运算放大器的频率补偿;其中第一频率补偿电容Cm1连接于第一级运放的输出端和整个两级运算放大器的输出端之间,第二频率补偿电容Cm2连接于第一级运放中NMOS管M2N的源极和NMOS管M4的漏极连接点与整个两级运算放大器的输出端之间.本发明非主极点与寄生参数无...
本发明提供一种基于反相器结构的放大器,与传统放大器相比可以对输出端的电压变化进行补偿,在输出端的电压在工艺角发生变化的情况下,依然能够保持相对稳定,使放大器始终能提供相对稳定增益,同时本发明使输出端的直流工作点电压可以唯一确定,不需要额外的共模反馈电路;本发明具有结构简单,电路容易实现的优点,可以减少电压...
本发明提供一种基于反相器结构的放大器,与传统放大器相比可以对输出端的电压变化进行补偿,在输出端的电压在工艺角发生变化的情况下,依然能够保持相对稳定,使放大器始终能提供相对稳定增益,同时本发明使输出端的直流工作点电压可以唯一确定,不需要额外的共模反馈电路;本发明具有结构简单,电路容易实现的优点,可以减少电压...
基于反相器输入结构的分裂补偿两级运算放大器本发明属于电子技术领域,涉及模拟集成电路中运算放大器的频率补偿技术.包括两级运放,第一级运放由NMOS管M罗萍廖鹏飞杨云甄少伟
基于反相器输入结构的分裂补偿两级运算放大器本发明属于电子技术领域,涉及模拟集成电路中运算放大器的频率补偿技术.包括两级运放,第一级运放由NMOS管M罗萍廖鹏飞杨云甄少伟