半导体器件埋沟工艺作用。金属-半导体-场效应晶体管)和JFET(JunctionFET，结型场效应晶体管)通常是埋沟器件。
百度试题 题目在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是? p+多晶硅栅适合自对准工艺p+多晶硅栅可以做成埋沟器件p+多晶硅栅具有较大功函数p+多晶硅栅具有更低电阻率 相关知识点: 试题来源: 解析 p+多晶硅栅具有较大功函数 反馈 收藏