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最近因场板结构掉了不少头发,跟老友聊天,才知学问不少,有点四两拨千斤的感觉。 如下精华部分来自老友,由笔者整理成文。 1、结构如下: 2、场板通常与场环组合,起到如下作用; 2.1、降低场环电场; 2.2、阻止电荷进入氧化层(可动电荷导致电场再分布,击穿电压不稳)。 3、终端效率(终端耐压/理想耐压)不高,60%-...
有关系的,场板结构中,场板电位小于半导体的电位(相当于负电荷,使得耗尽层扩展,场环场强减小),氧化层上下两侧的电位差应小于上述计算值。 然而在实际器件中,经常为硅半导体击穿而非氧化层,硅表面场强最大值约2E5V/cm,根据高斯定律,氧化层的场强约为硅的3倍,即6E5V/cm。 以此换算,1um氧化层,耐压60V,下降不少...
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场板技术是功率LDMOS器件中使用最为频繁的一种终端技术。合理的场板设计可以使漂移区的平均电场增加,减小电场峰值,从而达到抑制热载流子效应,提高击穿电压等目的。因此,建立LDMOS的电场分布模型,理论上对场板下的电场分布进行数值分析有重要的现实指导意义。本文将通过建立二维解析模型研究LDMOS的场板的不同结构对于其漂移...
本周《涨知识啦》给大家带来的是边缘终端的系列内容第二讲,上一讲我们介绍了正斜角的概念,它可以改善边缘电场,起到提高击穿电压的作用,这一讲我们将要介绍的是另外一种调控平面电场的方法—场板。工艺生产中,当向半导体中扩散杂质的时候,总是会形成如上图所示的结,结边界从内部逐渐收向器件表面,此时图中被标记...
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