场效应管门限电压的符号是Vth。其中,“V”表示电压,“th”表示“threshold”的缩写,意为“门限”。 需要注意的是,在不同类型的场效应管中,门限电压符号可能会有所不同。例如,在P型场效应管中,门限电压符号一般为- Vth,而在N型场效应管中,门限电压符号一般为+ Vth。 三、结语 场...
(1)图P3-1(a)中, v_(DS)0 ,因此为N型管;曲线族中vcs全为正值,因此是N沟道增强型场效应管,器件符号如解图3-1(a)中所示。且 i_D=0 时对应的vcs即该管的开启电压 V_(GS)(th)=1V ;(2)图P3-1(b)中, v_(Ds)0 ,因此为P型管;曲线族中vcs全为负值,因此是P沟道增强型场效应管,器件符号如...
画出其符号;(2)其夹断电压UGsoD约为多少?(3)漏极饱和电流Ipss约为多少Ip/mA1V8U_∞=0v6-1V-2V20Uo/V 相关知识点: 试题来源: 解析 解答:(1)该管为N沟道耗尽型场效应管。符号:G=1=1^(15);7=18.(2 U_(GSG)=-3V(3) I_(DSs)=6mA 反馈 收藏 ...
结型场效应管(JFET)的结构及工作原理N沟道结型场效应管结构和符号改变栅源电压UGS的大小,可以有效的控制沟道电阻的大小。若在漏源极间加上固定的正向电压UDS,则由漏极电流iD将受UGS的控制,|UGS|增大时,沟道电阻增大,iD减小。从而实现栅源电压UGS对漏极电流iD的控制作用,场效应管为电压控制器件。当vDS继续增大,...
B.设源极为参考点,并设电压、电流为关联参考方向。在转移和输出特性曲线中,N沟道的UGS、UGS(off)为负,P沟道的UGS、UGS(off)为正。C.在转移和输出特性曲线中,N沟道的ID为正,P沟道的ID为负。D.输出特性曲线中。N沟道的UDS为正,P沟道的UDS为负。 搜索 题目 如图为N沟道和P沟道两种结型场效应管的符号及...
题目 电路如图所示,已知场效应管gm=2ms,试求: (1)V1、V2,管静态工作点电流及UDQ; (2)差模电压放大倍数Aud。(注:图中I0为场效应管构成的恒流源简化符号;电路中V1、V2管的静态栅源偏压合理,即有UGS(off)<UGSQ<0) 相关知识点: 试题来源: 解析 反馈 收藏 ...
场效应管的输出特性曲线如图3-4所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件的符号,确定开启电压VCS(th),并在图上画出饱和区和非饱和区的分界线及相应表示式。 查看答案
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10⁷～10Ω）、噪声...