A、IGBT三个电极分别为基极G、集电极C和发射极E。而MOSFET的三个电极分别为栅极G、漏极D和源极S; B、IGBT比MOSFET多一层高掺杂P+注入区,实现对了漂移区电导率进行调制,同时具有了反向阻断能力。而电力场效应晶体管是逆导器件; C、IGBT相当于一个由厚基区PNP晶体管驱动的MOSFET,是双极型器件。而电力场效应晶体...
012.关于电力场效应晶体管,以下叙述中错误的是: A、在确定的栅压UGS下,MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻Ron,是影响最大输出功率的重要参数,因为它决定了通态管压降和自身损耗的大小; B、开启电压UT是指沟道体区表面发生强反型层所需的最高栅极电压