B、开启电压UT是指沟道体区表面发生强反型层所需的最高栅极电压,它表明了反型层形成的条件; C、MOSFET的开启电压UT具有负温度系数,典型值为负6.7mV/℃(温度每升高1℃,UT下降6.7mV)。因此MOSFET工作时,应避免瞬时温升过高,这会使UT瞬时降低产生误导通,引起严重后果。栅源之间的绝缘层很薄,栅源电压 >20V将导致...