百度试题 题目在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是? p+多晶硅栅适合自对准工艺p+多晶硅栅可以做成埋沟器件p+多晶硅栅具有较大功函数p+多晶硅栅具有更低电阻率 相关知识点: 试题来源: 解析 p+多晶硅栅具有较大功函数 反馈 收藏
在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是A.p + 多晶硅栅适合自对准工艺B.p + 多晶硅栅具有较大功函数C.p + 多晶硅栅具有更低电阻率D.p + 多晶硅栅可以做成埋沟器件的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,
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在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是A.p + 多晶硅栅适合自对准工艺B.p + 多晶硅栅具有较大功函数C.p + 多晶硅栅具有更低电阻率D.p + 多晶硅栅可以做成埋沟器件