近期，工业和信息化部发布的《2024版重大技术装备推广应用指导目录》中，氟化氩光刻机的具体技术指标赫然在列，这一消息迅速在国际间激起层层波澜。它不仅标志着中国在低端光刻机领域已实现了国产化的重大跨越，更透露出中国批量生产28纳米及以上成熟芯片的能力，为市场注入了一剂强心针。然而这仅仅是开始。中国光刻机...
9月9日，工信微报微信公众号发文披露《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。其中，在电子专用设备一栏，氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示，氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。据东兴证券研报，光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机，市场主流有i-Ii...
ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT：1460K的光刻分辨率为≤65nm，但是套刻精度更高（＜5nm）。虽然这款国产DUV光刻机的分辨率也是≤65nm，都可以做65nm制程甚至更先进一些芯片，但是由于该国产光刻机套刻精度误差更大，这也将导致其良率水平可能相对会低一些。也就是说，该国产DUV光刻机的性能甚至要低于ASML...
《中国经营报》记者注意到，该文件一经发布后，关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”，还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上，套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度，而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。“光刻机套刻小于8纳米，逻辑上对应的区间，也能上到成熟区间...
就在人们为国产光刻机欢呼雀跃之际，一位业内专家的分析如同一盆冷水浇在了所有人头上：这款被誉为＂突破性＂的新型光刻机，其实际水平相当于西方18年前的技术。这个残酷的现实瞬间引发了激烈的讨论和争议。究竟是谁在传播＂正能量＂谣言？为什么会有如此大的技术差距？我们是否应该为这18年的差距感到沮丧，还是...
但现在，情况完全不一样了！国内的科研团队和企业真是拼了命地干，从90纳米到28纳米，一步一个脚印往前冲。现在好消息接二连三地传来：咱们的光刻机不仅能造了，还实现了90%的零部件自主可控！更厉害的是，现在国产光刻机已经开始对外出口了。在国内芯片厂的招标中，咱们的设备已经能跟日本、荷兰的产品同台...
最近，工业和信息化部发布了《2024版重大技术装备推广应用指导目录》，其中一条关于氟化氩光刻机的描述引起了国内外的高度关注。目录中明确指出，这款国产光刻机拥有≤8nm的套刻精度和≤65nm的分辨率，采用193纳米光源，可加工300纳米晶圆。官方发布这一消息，旨在推动国产高端装备的市场化应用，吸引更多资本的关注和...
近年来，中国在光刻机领域取得了显著的突破，尤其是关于国产光刻机是否已突破28nm工艺节点的问题，备受关注。本文将深入探讨这一话题，分析国产光刻机的最新进展及其带来的深远影响。国产光刻机的最新进展 突破性的官方公告 2024年9月9日，工业和信息化部印发了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》...
如今，国产光刻机的诞生，不仅意味着我国能生产高性能芯片，还能减少高性能芯片和光刻机的对外依赖程度。那可能还有人疑惑了，明明全球著名的光刻机公司是荷兰阿斯麦，为何美国还能制霸芯片行业卡中国脖子呢？众所周知，光刻机设备常年被荷兰的阿斯麦公司垄断，占据了全球90%以上的市场份额，剩下的则是被日本的尼康、...