百度文库 其他 围栅场效应晶体管围栅场效应晶体管 围栅场效应晶体管是半导体领域中的一项重要技术,它的栅极结构经过特殊设计,以更好地控制沟道中的载流子流动。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
堆叠围栅场效应晶体管(Stacked Gate Field Effect Transistor)是一种特殊的场效应晶体管,其结构特点在于栅极的堆叠设计。这种设计使得晶体管在控制电流方面具有更高的精度和效率。当在栅极上施加电压时,会在源极和漏极之间形成一个导电通道,从而控制电流...
晶体管采用环栅结构(Gate-All-Around, GAA),即栅极围绕着沟道。环栅结构通过全方位控制沟道电场,提高了栅极的控制能力,极大减少了短沟道效应,使得栅长可以缩小至 5nm 甚至更小而基本不影响性能。 601133柏诚股份:已中标的华为项目包含海思武汉光工厂,华为松山湖研发基地,年报中明确表示GAA(全环绕栅极)带来高价值量洁...
1.一种混合导通机制围栅晶体管,其特征在于,包括:围栅MOSFET器件,包括衬底、第一源区、第一漏区、第一栅介质层以及围栅沟道控制栅;所述第一源区与所述第一漏区沿第一方向排列;其中,所述第一源区与所述第一漏区中掺杂有第一离子;其中,所述第一方向表征了平行于所述衬底的方向;第二源区与第二漏区,所述...
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围栅场效应晶体管 /gate-all-around field effect transistor/ 最后更新2023-08-07 浏览83次 载流子沟道区被栅极完全包围的场效应晶体管。又称环形栅场效应晶体管。 英文名称 gate-all-around field effect transistor 又称 环形栅场效应晶体管 所属学科
光谱投影颜色感知器件与围栅多桥沟道晶体管技术 1. 一种基于光谱投影的颜色感知器件光信号是宇宙空间中最重要的信息载体之一,人们对能探测光信号的器件(即光探测器)的研究由来已久。光探测器的应用涉及到国防军…
混合导通机制围栅晶体管及其制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,混合导通机制围栅晶体管及其制作方法说明:本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体管,包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区;围栅MOSFE...专利查询请上爱企查
三星在全球范围内首先量产了3nm的环绕栅晶体管芯片。据报道是中国的矿机芯片首先使用了该技术。虽然也有报道称三星3nm的晶体管密度甚至低于 Intel 的7nm,但是首先进入GAA时代积累的经验,或许会让三星在下个世代获得竞争优势。
(54)发明名称 混合导通机制围栅晶体管及其制作方法 (57)摘要 本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体 管,包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区; 围栅MOSFET器件包括衬底、第一源区以及第一漏 区;第一源区与第一漏区中参杂有第一离子;第 二源区形成于衬底与第一源区之间,第二漏区形 成于衬底与第一漏...