电阻率值可由下面公式得出: C V I G(W S )D( d S ) 0G(WS )D( d S ) 式中:ρ0 为块状体电阻率测量值; W:为样品厚度(um);S:探针间距(mm); G(W/S)为样品厚度修正函数,可由附录IA或附录 1B查得; D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数,可由附 录2查得。W/S<...
1、体电阻率测量：当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，则２、３ 探针间产生电位差V。四探针法测量原理图 材料电阻率探针系数 VCI (1)20πC(2)1111S1S2S1S2S2S3 式中：S1、S2、S3分别为探针１与２...
四探针方法测电阻率原理公式推导 探针方法测量半导体的电阻率 阅读了该文档的用户还阅读了这些文档 47 p. 非条件logistic回归模型【卫生统计教研室】 ppt课件 12 p. 第六十章 手外伤及断肢(指)再植 ppt课件 27 p. 第六十八章 骨与关节化脓性感染 ppt课件 14 p. 第六十二章 脊柱、脊髓损伤 ppt课件 ...
需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) 四探针方法测电阻率(原理公式推导).pdf 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 护理学经营创新管理学资料中医养生内科咨询培训物流与供应链 下载文档 收藏 分享赏 0 内容提供方:188***4487 审核...
4、薄片电阻率测量:当薄片厚度0.5mm时,按公式(3)进行;当薄片厚度0.5mm时,按公式(4)进行。5、仪器在中断测量时应将工作选择开关置于“短路”;电流开关置于弹出断开位置。 技术参数技术参数测量范围 电阻率:10-4103cm;方块电阻:10-3104;电阻:10-6105;四探针测试探头:探针间距:mm;游移率:1.0%;探针:碳化钨 0.5...
1、体电阻率测量：当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，则２、３探针间产生电位差V。四探针法测量原理图 Page4 材料电阻率VC (1)I 探针系数 20π C1111(2)S1S2S1S2S2S3 式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与４之...
1、体电阻率测量：当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，则２、３探针间产生电位差V。四探针法测量原理图 材料电阻率VC (1)I 探针系数 C11 20π1 1 (2)S1S2S1S2S2S3 式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与４之间距，...
4、0.5时,电阻率为: 2、带扩散层的方块电阻测量、带扩散层的方块电阻测量 当半导体薄层尺寸满足于半无限大时: 若取I 4.53 I0,I0为该电流量程满度值, 则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10 后得到。 I V I V R53. 4)( 2ln 0 仪器结构特征仪器结构特征 数字式四探针测试仪主体部分由高灵敏 度直流...
探针系数 (1) (2) 5学习交流PPT •温度影响电阻率,从面影响电阻 •p=p1(1+aT),p1为该材料0摄氏度时的电阻率,a 叫电阻的温度系数,不同材料的电阻温度系数不 同 •由R=p*l/sp=p1(1+aT),得 •R=R1(1+aT)同理,R1为0摄氏度时的电阻 •R=p*l/s(p—电阻率查表求;l—电阻长度;s—...
1、a,1,探针方法测量半导体的电阻率,a,2,一实验目的 二实验原理 三仪器结构特征 四操作步骤 五注意事项 六技术参数,a,3, 实验目的,1、理解四探针方法测量半导体电阻率的原理; 2、学会用四探针方法测量半导体电阻率。,a,4, 实验原理,1、体电阻率测量:,四探针法测量原理图,当、四根金属探针排成一直线时,...