所以必然至少需要 v_{DD}/2的噪声才能完成逻辑干扰。我们需指出:NML和NMH不是完全相等的。下面我们通过非对称理想反相器来做说明。 2.2 非对称理想反相器的噪声容限 非对称理想反相器的输入输出转移曲线(VTC)如图4所示。 v_{IL} 和v_{IH} 分别为: v_{IL}=0.4v_{DD} - eps v_{IH}=0.6v_{DD}/2 ...
噪声容限是针对于整个电路系统有噪声的情况下,电路还能够正常工作,这种对噪声包容的限度叫做噪声容限; 噪声容限定义: 首先看一个反相器的VTC((Voltage Transfer Characteristic)电压传输特性): 从图我们可以知道,在中间区域内,曲线的斜率绝对值大于1,即在这个区域内,输入微小的变化也会在输出端放大,导致电路的值发生改...
噪声容限越大说明容许的噪声越大,电路的抗干扰性越好。高电平噪声容限=最小输出高电平电压-最小输入高电平电压低电平噪声容限=最大输入低电平电压-最大输出低电平电压噪声容限=min{高电平噪声容限,低电平噪声容限相位噪声和抖动问题密切相关且应在振荡器和锁相环里研究 即遇到振荡器和锁相环时一定要考虑相位噪声和...
;0.9*Vcc H: -3~-15V 低电平噪声容限0.4V 0.2*Vcc 高电平噪声容限0.4V 0.2*Vcc噪声容限0.4V 0.2*Vcc噪声容限的定义:: 低电平噪声容限=最大输入低电平电压-最大输出低电平电压 高电平噪声容限=最小输出高电平电压-最小输入高电平电压噪声容限=min{高电平噪声容限,低电平噪声容限} 对于噪声容限的计算,我查过...
在描述高速运行的数字系统时,噪声容限是最重要的参数之一。通常情况下,噪声容限定义了 I/O 引脚上或接口中可接受的噪声水平。在数字电子技术领域,噪声容限是指 I/O 引脚上出现但不会导致接收逻辑状态出错的噪声水平。这个值在时域中经常调用,用于测量比特误码率。
噪声容限是指在前一级输出为最坏的情况下,为保证后一级正常工作,所允许的最大噪声幅度。以下是对噪声容限的详细解释: 定义: 噪声容限在数字电路中,一般常以“1”态下(上)限噪声容限和“0”态上(下)限噪声容限中的最小值来表示电路(或元件)的噪声容限。 噪声容限越大说明容许的噪声越大,电路的抗干扰性越好...
CMOS逻辑电平:高电平为VDD到VOH(通常接近VDD),低电平为VOL(通常接近0V)到0V;噪声容限计算:高电平噪声容限NMH = VOH(min) - VIH(min),低电平噪声容限NML = VIL(max) - VOL(max)。 1. **CMOS逻辑电平定义**: - 输入电平阈值: - VIH(min):输入被识别为高电平的最小电压(通常≈0.7×VDD)。 -...
噪声容限（noisemargin）是指在前一极输出为最坏的情况下，为保证后一极正常工作，所允许的最大噪声幅度。在数字电路中，一般常以“1”态上（下）限噪声容限和“0”态上（下）限噪声容限中的最小值来表示电路（或元件）的噪声容限。编辑本段详细信息 在通信系统工程学，噪声容限是信号超出极小的可接受的数...
VLSI中的噪声容限解释如下：定义：噪声容限在VLSI设计中用于衡量电路抵抗噪声干扰的能力。它分为低噪声容限和高噪声容限两个方面。物理意义：低噪声容限：当系统噪声小于NML时，逻辑“0”不会被破坏。它反映了电路在输入电压较低时，对噪声干扰的抵抗能力。高噪声容限：当系统噪声小于NMH时，逻辑“1”不...
交流噪声容限 3. 动态功耗 4. 引用说明 动态特性所要讨论的是当电路状态转换过程中所表现出来的一些性质。 1. 传输延迟时间 tPHL、 tPLH 由于MOS 管的电极之间以及电极与衬底之间都存在寄生电容,尤其在反相器的输出端更不可避免地存在着负载电容(当负载为下一级反相器时,下一级反相器的输入电容和接线电容就...