吸杂是通过一定的热处理过程来完成的。在较高的温度下,Si片中的杂质、缺陷会发生变化——分解。位错这种缺陷实际上是Si原子本身排列的一种错乱结构形态,包含有较大的应力场,具有吸收(收集)杂质原子的作用。吸杂技术共包含有3个物理过程,如图1所示:a)释放杂质或分解缺陷组分;b)杂质或位错组分(主要是Si自间隙原子)...
吸杂是通过一定的热处理过程来完成的。在较高的温度下,Si片中的杂质、缺陷会发生变化——分解。位错这种缺陷实际上是Si原子本身排列的一种错乱结构形态,包含有较大的应力场,具有吸收(收集)杂质原子的作用。 吸杂技术共包含有3个物理过程,如图1所示:a)释放杂质或分解缺陷组分;b)杂质或位错组分(主要是Si自间隙原子...
产业中,主要用产业中,主要用PP吸杂,吸杂,AlAl吸杂等技术提吸杂等技术提升升pp型多晶硅片少子寿命型多晶硅片少子寿命 PP扩散吸杂的原理一般认为有分凝吸杂和扩散吸杂的原理一般认为有分凝吸杂和松弛吸杂两种机制。松弛吸杂两种机制。12.4us17.2usA.Benzen,JournalofAppliedPhysics,2006J.Schmidt,Prog.Photovolt:Res.Appl,...
专利名称:硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片的制作方法本发明涉及一种将存在于晶体材料中的多重吸杂机理,通过工艺和结构上的有机组合,形成硅的多重吸杂技术,并应用多重吸杂技术获得多重吸杂的半导体硅片。多重吸杂技术适于对电阻率低于100Ω-cm的N、P型硅片材料的处理。用多重吸杂技术所获得的多重吸杂硅片适于作...
内容提示: 异质结太阳电池中异质结太阳电池中N N型单晶硅片的吸杂技术型单晶硅片的吸杂技术中科院上海微系统与信息技术研究所中科院上海微系统与信息技术研究所祝方舟祝方舟王栋梁王栋梁 卞剑涛卞剑涛 刘正新刘正新 文档格式:PDF | 页数:11 | 浏览次数:73 | 上传日期:2014-09-27 22:39:10 | 文档星级: 异质结...
直拉Si单晶中的缺陷减少与吸杂能力的提高 直拉Si单晶中的缺陷减少与吸杂能力的提高 直拉Si单晶缺陷吸杂能力硅单晶半导体材料生产工艺摘要:邓志杰北京有色金属研究总院VIP现代材料动态... 邓志杰 - 《现代材料动态》 被引量: 0发表: 2002年 加载更多 来源期刊 半导体光电 研究点推荐 多重吸杂技术 多晶硅吸杂 ...
采用双重吸杂硅片作为衬底材料,应用于CCD器件的研制工作已获得良好的效果。它使器件的暗电流明显下降,基本上消除了暗电流尖峰,同时也使器件的其它性能得到改善。目前,... 陈慕章 - 《半导体光电》 被引量: 6发表: 1985年 吸杂技术在TOPCon电池中的应用 硅基体的质量是限制光伏效率提升的关键因素.随着光伏电池效率...
采用上述技术方案,本实用新型一种往复吸杂清洁装置在使用的时候,通过平移支架3沿水平方向滑动设置于平移导向杆11,平移支架3上方两侧分别螺纹连接于往复支架1两侧的平移丝杆8,两根平移丝杆8之间采用平移链条10传动连接,利用平移电机2驱动平移支架3,使得平移支架3能够根据需要循环往复的进行平移,确保平移支架3上的吸杂风机4...
“这样看来,采用掺锑技术泰睿硅片吸杂工艺效果好,跟价格便宜的颗粒硅更搭!”,请教一下:为什么不是跟价格更便宜的菜花料、致密料更搭?$协鑫科技(03800)$ 2024-04-04 17:35 未来三年,协鑫25%~30%的颗粒硅将卖给隆基!将助力隆基每年生产约62~75GW单晶硅片!2023年,隆基硅片总产量约为120GW。