1.先在衬底上形成多晶硅虚设栅电极(dummy gate)结构。 2.以虚设栅电极结构为掩膜进行源漏极区域离子注入以及高温退火。 3.去除多晶硅虚设栅电极材料。 4.金属栅极的沉积。 后栅工艺先后发展出了两种工艺:先高k后栅极(high-k first gate-last)工艺和后高k后栅极(high-k last gate-last)工艺。©...
这个时候功耗就来的小,那个时候我们出来包括IBM那些所有的人出来说英特尔宣布做后栅工艺的时候,不可能达到经济利益上的量产,因为太难做了,英特尔做出来了。为什么后栅很重要,当处理器运算的频率高的时候,你的功耗就会很大,这部分做起来很不容易。所以你会看到去年很长时间都讲到产能不足的问题,现在TSMC有了,三星的...
5、,下面这段话引用自英特尔中国技术发言人洪力的评价: 28纳米去年TSMC(台积电)刚刚用到所谓后栅极工艺,英特尔从45纳米开始用后栅工艺,那是4年以前的事。这个时候功耗就来的小,那个时候我们出来包括IBM那些所有的人出来说英特尔宣布做后栅工艺的时候,不可能达到经济利益上的量产,因为太难做了,英特尔做出来了。为什么...
前栅极/后栅极 前面我们论证了HKMG相对于poly/SiON的优势,但很少人知道,即使同样是HKMG栅极,如果采用不同的制造工艺——前栅极(gate-first)/后栅极(gate-last),芯片表现是不一样的。 煮机上一篇文章已经说过,前栅极工艺制作HKMG,用来制作high-k绝缘层和制作金属栅极的材料必须经受漏源极退火工步的高温,会导致晶...
这个时候功耗就来的小,那个时候我们出来包括IBM那些所有的人出来说英特尔宣布做后栅工艺的时候,不可能达到经济利益上的量产,因为太难做了,英特尔做出来了。为什么后栅很重要,当处理器运算的频率高的时候,你的功耗就会很大,这部分做起来很不容易。所以你会看到去年很长时间都讲到产能不足的问题,现在TSMC有了,三星的...
high-k工艺就是使用高介电常数的物质替代SiO2作为栅介电层。intel采用的HfO2介电常数为25,相比SiO2的4高了6倍左右,所以同样电压同样电场强度,介电层厚度可以大6倍,这样就大大减小了栅泄漏。后来,intel在 45nm 启用了 high-k ,其他企业则已在或将在 32nm/28nm 阶段启用 high-k 技术。high-k技术不仅能够大幅减...
针对上述问题,复旦大学微电子学院张卫/徐敏课题组基于自主搭建的DTCO仿真平台,创新性地提出了环栅晶体管后栅单扩散(PG-SDB) 工艺集成方案,相比于传统的单扩散(SDB)和自对准单扩散(SA-SDB),PG-SDB可以显著提高沟道应力从而实现N/P电流...
金属栅功函数优化及其后栅工艺对32nm器件性能的模拟研究
#煮机观察#【英特尔为什么牛逼——后栅极工艺浅谈(一)】半导体制程工艺上,英特尔要是说第二,没人敢说第一。为了让大家一窥Intel在半导体制造工艺上的牛逼,笔者选取数月前参加Intel新品交流会后,印象深刻的45nm以下HKMG的成型工艺来做探讨。O网页链接提一句,文章很有营养,而且能看懂 ...
MOS集成电路采用的是铝栅工艺，首先在硅单晶片上热氧化生长一层二氧化硅膜，经第一次光刻，在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散窗口，用扩散法形成源和漏扩散区 （1a），接着在硅片上形成新的二氧化硅层；再经过第二次光刻，刻蚀出栅区，生长栅氧化层；然后，经光刻刻出引线孔，完成蒸铝和刻铝等后工序；...