司梦维表示,该原子层沉积超薄沟道、以及等效栅介质厚度的微缩技术,能提升半导体器件的栅极控制力,也可极大增强对短沟道效应的免疫力,为未来 3nm 节点后的超短沟晶体管器件提供技术方案。 该研究的背景在于,过去几十年集成电路技术发展的根本驱动力,在于缩小集成电路中基本单元的晶体管器件的尺寸,借此来提升晶体管密度。