专利摘要显示，一种动态随机存取存储器(DRAM)装置包括：存储器单元阵列，其包括第一子存储器单元阵列块和第二子存储器单元阵列块，所述第一子存储器单元阵列块包括多条第一子字线与多条第一奇数位线和多条伪位线之间的多个第一存储器单元，所述第二子存储器单元阵列块包括多条第二子字线与多条第二奇数位线和...
其简述如下本发明所公开的可程序延迟动态随机存取内存的读取时钟的装置,是用于一芯片组中,该装置包括第一延迟装置,用以将第一内部时钟信号选择适当延迟后输出;第二多任务器,用以选择第二内部时钟信号的来源;第三多任务器,用以将第二多任务器所选择的第二内部时钟信号选择适当延迟后输出;第四多任务器,用以将第一...
本发明是一种可程序延迟动态随机存取内存的读取时钟的装置及方法。通过基本输出入系统或外部电子开关或其它逻辑电路等方法,选择延迟或不延迟动态随机存取内存的读取时钟及北桥接器的内部时钟,使动态随机存取内存模块端能在工作时钟上升缘有足够的设定时间,以正确读出命令字组,使北桥接器能够正确收到动态随机存取内存模块所...
百度试题 题目以下关于EEPROM说法错误的是()。 A. 非易失 B. 可用编程装置对其编程 C. 只能读,不能写 D. 可随机存取 相关知识点: 试题来源: 解析 C.只能读,不能写 反馈 收藏
以下关于EEPROM说法错误的是()。 A.非易失 B.可用编程装置对其编程 C.只能读,不能写 D.可随机存取 查看答案
所述存储器装置包括存储阵列及控制逻辑电路。存储阵列包括多个存储单元行。控制逻辑电路对存储阵列执行存取。控制逻辑电路对在存储单元行上所执行的存取的次数进行计数,以产生与存储单元行相对应的多个计数值。当与存储单元行之中存取存储单元行相对应的计数值大于或等于使用与存取存储单元行相对应的随机数产生的阈值时,...