该模型补充了与CMOS工艺兼容的变容管设计时在高频情况下的仿真问题;它能够描述管子压控变容显著区段的变化规律。此模型算法可以嵌入到仿真工具里,较为准确地反映控制电压信号的频率在10 kHz以上变容管特性;针对不同的CMOS工艺,修改变容指数即可,因而,此模型有普遍的适用性和较强的移植性。
为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所...
摘要:为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matla...
用HSpice和Candence Spectre进行晶体管级电路模拟仿真时,软件根据晶体管静态条件下所建模型对PMOS变容管准静态特性的获取较为方便,但对其高频特性显得无能为力。以下将基于PMOS变容管准静态特性的基本参数,采用特性曲线拟合的办法,对PMOS变容管高频(即动态)特性进行建模。 由图3可见,Cv随VBG变化的高频特性曲线类似于...
摘要:摘要:为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;...
所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线。仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线 的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好。从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性。 关键词:PMOS管;准静态曲线;特性曲线;高频特性模型;变容模型 ...