该模型补充了与CMOS工艺兼容的变容管设计时在高频情况下的仿真问题;它能够描述管子压控变容显著区段的变化规律。此模型算法可以嵌入到仿真工具里,较为准确地反映控制电压信号的频率在10 kHz以上变容管特性;针对不同的CMOS工艺,修改变容指数即可,因而,此模型有普遍的适用性和较强的移植性。
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摘要:摘要:为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;...
用HSpice和Candence Spectre进行晶体管级电路模拟仿真时,软件根据晶体管静态条件下所建模型对PMOS变容管准静态特性的获取较为方便,但对其高频特性显得无能为力。以下将基于PMOS变容管准静态特性的基本参数,采用特性曲线拟合的办法,对PMOS变容管高频(即动态)特性进行建模。 由图3可见,Cv随VBG变化的高频特性曲线类似于...
1、集成PMOS管变容特性分析与仿真建模摘要:为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 035m这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描...
集成变容管高频特性模型.选用Charted0.35m这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压,用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真,得出高频变容曲线.仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显着区...
集成PMOS管变容特性分析与仿真建模 0引言 变容管是压控振荡器、调频器、锁相环等电路的关键部件。传统的分立电子线路常采用特制 的二极管作为变容管,所用材料多为硅或砷化镓单晶,并采用外延工艺技术。自动频率控制 (AFC)和调谐所用的小功率变容二极管通常采用硅的扩散型二极管,也采用合金扩散、外延 结合、双重扩散...
为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所...
ModernElectronicsTechnique Jun.2o11 Vo1.34No.12 集成PMOS管变容特性分析与仿真建模 曹新亮,张威虎 (延安大学物理与电子信息学院,陕西延安 716000) 摘要:为适应PM0s变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析M0S变容管特性的基础上,通过确定关键点、 以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频...