答:受主是能够在禁带提供空能级的杂质;形成有效受主的条件以 SrTQ为例,若想取代Sr2+ (或廿+) , 1)掺杂离子与Sr2+ (或W + )半径相近;2)掺杂离子电价低于Sr2+ (或Ti4+)。受主杂质上的 电子态相应的能级是受主能级;形成受主能级的方式有:低价外来阳 离子替位;阳离子缺位;阴离子添隙等。反馈 收藏
受主掺杂,指的是在半导体材料中故意引入某些杂质元素,这些杂质在半导体晶格中替代原有原子后,能够接受电子而成为带负电的离子,从而产生空穴,提高半导体的空穴浓度,进而影响其导电性能。 二、受主掺杂的工作原理 在半导体中,受主杂质通常具有比半导体材料的价电子更少的价电子。当它们被加入到半导体晶格中...
在本研究中,作者通过相关实验证据结合畴壁的“breathing”模型,揭示了“受主”掺杂弛豫铁电体异常DPT过程的物理起源。研究结果显示,Mn掺杂通过提升随机电场强度抑制了极性纳米区(PNRs)的生长,从而增强了介电弥散特性,并降低了畴尺寸。同时,Mn掺杂还导致了弛豫时间函数的重新分布,从而降低了介电弛豫响应。本研究不仅深化...
受主电离的几率：1-f_A(E);g_D、g_A分别为施主能级和受主能级为简并因子（基态简并度），对于S...
传统受主掺杂(例如Y)对得到高电导率的电解质有着关键性的作用,但是受主掺杂对电解质的其它性质,尤其是对单电池性能的影响还缺乏系统研究,阻碍了高性能可逆固体氧化燃料电池的设计与优化。 【工作简介】 近日,美国佐治亚理工学院刘美林...
掺杂工艺对器件性能影响显著。在MOSFET制造中，沟道区受主掺杂浓度直接影响阈值电压V_th。根据公式V_th=φ_ms-(Q_ox/C_ox)+(√(2qε_sN_Aφ_F))/C_ox，其中φ_F=(kT/q)ln(N_A/n_i)，当衬底掺杂浓度提升10倍时，阈值电压绝对值将增加约100mV。实际生产中需考虑杂质分凝效应，在液相外延生长过程...
实验现象表明,Mn掺杂可以提升弛豫铁电体的介电弥散并降低畴尺寸,但却抑制了介电弛豫行为。通常情况下,随着结构无序性的提升,弛豫铁电体的介电弥散和弛豫特性会同时增强,这意味着“受主”掺杂对介电弛豫的影响与目前的现象认知相矛盾。在本研究中,...
受主型掺杂半导体,简而言之,是通过向半导体材料中引入受主杂质,使其转变为P型半导体的一种关键掺杂技术。其核心在于,这些受主杂质能够产生大量空穴,显著增强P型半导体的导电特性。在半导体技术中,受主型掺杂半导体扮演着至关重要的角色。它允许我们通过精确调控受主杂质的浓度,来灵活调整半导体材料的电性能,进而实现对...
通过实验,我们发现氧化铋在压敏电阻中主要作为受主掺杂剂存在。当氧化铋被引入压敏电阻的材料中时,它会提供多余的空穴,从而改变材料的导电性能。这种导电性能的变化正是压敏电阻实现其压敏特性的关键。 此外,我们还发现氧化铋的掺杂量对压敏电阻的性能有着显著的...
施主掺杂指在硅材料中引入自由电子,使其成为N型半导体,提高硅材料的导电性。掺入一些电子数目比硅原子多的原子,如磷、砷等,这些原子掺入硅晶体后会产生一个多余的电子,这个多余的电子可以通过电子自由运动的方式形成导电电子,从而提高硅材料的导电性。 三、什么是受主掺杂? 受主掺杂指在硅材料中...