🔍 尖峰电压的产生: 当MOS管从导通状态变为关闭状态时,变压器中储存的能量会转移到副边。然而,漏感中的能量无法直接转移到副边。由于漏感电流的方向不变,仍然是从右到左,而MOS管已经关闭,导致漏极电压逐渐升高。当电压达到311.7V时,二极管D1开始导通。🔌 各器件的作用: D1:蓄流给C1充电。当漏感能量耗尽后,...
反激电路中，RCD吸收电路和TVS的区别 一、首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V...
由于变压器次级整流电路走线的寄生电感L4需要折算到变压器原边,折算方法是乘以变压器匝比,那么在某些应用中,L4可能对实际的等效漏感贡献较大。 比如,假设某个反激电源变压器的原边感量为750uH,变压器匝比20:1 ,变压器原边测量漏感比例2%,变压器漏感为15uH。这个变压器应用于输入电压300VDC,输出电压5VDC的反激电源中,...
我现在搞了个小功率的电源5V 2.1A 12W ,原来电路RCD吸收比较轻、炸机率5%,我把初级RDC吸收加重。不炸机了。但是新的问题出来了。原来不炸机的变压器温度在80~82度,改了后就94度。有热保护出现。老化3个小时就无输出了。把板子取出来,自然冷确20分钟、再上电又能工作。 电路结构是反激式 变压器参数:RM6 PC4...
反激电路中，RCD吸收电路和TVS的区别 一、首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V...