溅射出来的硅原子与氮气在气相中或在基片表面发生反应,形成氮化硅并沉积在基片上。 ③ 反应溅射法具有很多优点。其中一个显著优点是可以精确控制薄膜的成分和结构。通过调节反应气体的流量、溅射功率等参数,能够制备出不同化学计量比的化合物薄膜。比如在制备氧化锌薄膜时,通过精确控制氧气的流量,可以制备出具有不同氧...
反应溅射法 反应溅射是一种将金属溅射与反应气体等离子体相结合的 PVD 过程。Auer专利®MICRODYN 镀膜设备的使用另镀膜层精密并高温下工作稳定。 镀膜材料和基材选择 镀膜材料 氧化硅 氧化铌 氧化锆 氧化钛 氧化钽 氧化铪 铁及铁氧化物 基材 工业技术玻璃...
首先,在磁控溅射器中加入含有钛元素的靶材,通过感应耦合等机制,钛靶材表面的原子被高速撞击并释放出来。其次,在反应室中,钛原子与氧气分子发生化学反应,生成二氧化钛。 二、反应条件 磁控反应溅射法制备二氧化钛需要一定的反应条件。一般来说,需要在真空或惰性气体氛围下进行反应,以...
本发明涉及在真空室内导入含有反应性气体的工艺气体进行成膜的反应性溅射法,特别涉及在溅射靶的非腐蚀区域沉积的颗粒沉积物、在溅射靶的腐蚀区域产生的结瘤不易从溅射靶脱离,又能抑制因上述颗粒沉积物、结瘤的带电引起的电弧放电等的反应性溅射法,和采用了该反应性溅射法的层叠体膜的制造方法。 背景技术: 近年来,...
一、反应磁控溅射法的工作原理 反应磁控溅射法是一种制备化合物薄膜的技术,其工作原理是利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。在反应磁控溅射法中,金属、合金、低价金属化合物或半导体材料作为靶阴极,在溅射过程中或在基片表面沉积成膜过程中与气体粒子反应生成化合物薄膜。 电子在电场的作用下飞向...
转自:余东海 广东工业大学机电学院 现代表面工程的发展越来越多地需要用到各种化合物薄膜,反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜,可以使用化合物材料制作的靶材溅射沉积,…
反应磁控溅射法制备TiN薄膜主要包括TiN靶材、氩气、氢气和氮气四个主要组成部分。首先，在真空室的基底上制备一层TiN薄膜，然后在真空室中吸入氢气，使氢气与TiN反应，生成二氮化钛和氢气，接着在真空室中加入氮气，使氮气与二氮化钛反应，形成所需的TiN薄膜。研究表明，反应磁控溅射法制备TiN薄膜的优点在于可以得到高...
直流反应磁控溅射法是一种常见的化学气相沉积方法，能够生长具有高结晶度、低缺陷密度和优异光学性能的TiO2薄膜。其制备过程中，较稳定的Ti目标与氧气混合气体在反应腔室内相互作用，形成一层致密的TiO2薄膜。通常，在300至400°C的温度下进行制备。通过改变反应气氛中的含氧量和反应温度等条件，可以控制TiO2薄膜的结构...
反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的结构 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的结构 氢化的类金刚石薄膜具有高硬度、高热稳定性、高绝缘性等优异特性 已被深入研究。如果将单价的氢换成单价的氟,则可能形成氟化类金 刚石薄膜。由于氟是强电负性元素,氟化键具有低的极化率,可以降低 介电常数,因而氟化类金刚...
采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au 复合薄膜,并对使用Mg 靶和Au 靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar /O2气体流量比下制备的样品进行X 射线光电子能谱、X 射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响。结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au 元素的含量偏高,...