答案: 同型掺杂:所掺杂质与晶圆中原有杂质类型相同。目的:提高限定区域中的杂质原子的浓度。反型掺杂:掺杂...点击查看完整答案 在线练习 手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺的主要步骤,并说明个步骤的主要作用和工艺温度。 答案: 在晶圆...
例如,若体材料为P型,表面强反型时会形成N型导电层;反之,若体材料为N型,则形成P型导电层。因此第一个空选B(不同)。 2. 开启电压与掺杂浓度关系: 开启电压与半导体掺杂浓度(\(N_A\)或\(N_D\))正相关。掺杂浓度越高,半导体内部的耗尽层电荷密度越大,需要更高的栅极电压补偿电荷以实现强反型。因此第二...
p型电导率和功率因子分别高达23.4 μW/m-K2,n型电导率和功率因子高达0.66 μW/m-K2 (如图一所示)。扫描电子显微镜(SEM)显示,薄膜形貌会影响其电导率,进一步提高掺杂剂浓度导致DPPTTT电导率减小,是因为聚合物链产生聚集,并且聚集体间的间隙随着掺杂浓度的增大而进一步增大,阻碍载流子传输,从而电导率降低。 图2 ...
MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型和体材料的导电类型—___(相同或 相反),若增加掺杂浓度,其开启电压将—___增加或减小)。8在半导体中,如果温度升高,则考虑对载流子的散射作用时,电离杂质散射概率___和晶格振动散射概率___。冋答题(共25分,共四题,6分+6分+6分+7分)1在本征半导体中进行有意掺...
结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型及体材料的( B ),若增加掺杂浓度,其开启电压将( ) 根据您输入的内容,为您匹配到题目: **结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型及体材料的( B ),若增加掺杂浓度,其开启电压将( )** A. 相同 B. 不同 C. 增加 D. 减少 **答案**: C ...
生长结:拉制单晶;CVD;MBE。生长晶体时改变掺杂类型。 扩散或离子注入结:在衬底中掺入反型杂质(杂质补偿)。 高温扩散的概念:扩散机理有替位式扩散(例如硼、磷等在Si中的扩散)和间隙式扩散(如金在Si中的扩散)。杂质替位式扩散的速度慢,扩散温度高(800°C~1200°C),杂质间隙式扩散的速度很快(在1000°C下10...
4MIS结构的表面发生强反型时;其表面的导电类型和体材料的导电类型___(相同或相反);若增加掺杂浓度;其开启电压将___增加或减小)。 5MIS结构的表面发生强反型时;其表面的导电类型和体材料的导电类型___(相同或相反);若增加掺杂浓度;其开启电压将___增加或减小).反馈 收藏 ...
值得说明的是,该实验结果本身并不能完全排除另一种可能性,即存在一种波矢为(π,π)的新型电荷序,通过与反节点Bogoliubov平带的作用而导致这种反常的隧道谱型。无论最终哪种理论模型是正确的,这一实验工作都在过掺杂铜氧化物超导体中揭...
MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型和体材料的导电类型一相反(相同或相反),若增加掺杂浓度,其开后电压将一___增加或减小)。8在半导体中,如果温度升高,
反偏pn结的空间电荷区宽度、电场和电容 金属-半导体整流结 正偏pn结和肖特基势垒结的电流-电压特性 金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金...