MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型 在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基... 金钟,叶云飞,陈军宁,... - 《安徽大学学报(自然科学版)》 被引量: 0发表: 2007年 基于势阱近似...
本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性.主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性.即向迁移率边激发导电过程电导率σ_(ME)(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σ_(VRH)(ω).发现:σ_(ME)(ω)和σ_(VRH)(ω)是一个复数.(2...
和优越的亚阈区特性而受到人们的重视.量子化效应对MOSFET反型层载流子浓度和开启电压等特性会产生显著影响.该文首次对不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响作了系统研究.在较宽的温度范围内(77K~400K)和较大的衬底掺杂浓度范围内(10〈'16〉cm~10〈'18〉cm〈'-3〉)计算了经典理论分布和量子....