●背抛工艺：去除硅片背面的硼扩散层，保留正面的BSG层。●磷扩散(正面BSG作为掩膜)：在硅片背面形成磷掺杂层，为电池背面提供电子收集能力。●去氧化层：去除硅片表面的氧化层，如BSG和PSG，以准备后续的电极接触1。●LPCVD或PECVD工艺：在硅片双面形成SiO/Poly-Si本征层，这是TOPCon电池的核心结构，用于钝化接触...