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BCV26,215 SOT-23 达林顿管 单双极晶体管 双极BJT 分立半导体 BCV26,215 30250 Nexperia(安世) SOT-23 21+ ￥0.6500元10~199 PCS ￥0.6000元200~999 PCS ￥0.3200元1000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 MJE5742G 三极管 ON/安森美 封装TO-220-3 达林顿管 支...
1.一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其特征在于：包括衬底层(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、第一极基区(4)、电极(5)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)、氮化硅层(10)和底层电极(11)，所述底层电极(11)、N型硅外延层衬底(1)、N型硅外延层(2)、...
驱动MOS管用东芝TLP701,如果要直插封装的达林顿光耦用TLP627,-2,-4
该IL755是单通道达林顿光耦 plers 。在ILD755有两个独立的通道, 单一的DIP封装。 它们设计用于要求探测器的应用 化或监测的交流信号。 最大额定值 辐射源 (每个通道) 连续正向电流... 60毫安 25功耗 ° ... 100毫瓦 25线性降额 ° ... 1.33毫瓦/ ° C 探测器 (每个通道) 集电极 - ...
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NTE264-NTE ELECTRONICS-达林顿双极性功率晶体管, 双PNP, 65W. 现在就预定 NTE264! 质优价廉, 发货迅速的 NTE ELECTRONICS 现货产品。
一种带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片及制作方法,晶体管的特性参数一致性较好,饱和压降低,抗二次击穿能力强.包括N+型或P+型硅片衬底,在所述硅片衬底表面设有与其同型的高阻层,在高阻层的正面设有前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区以及电阻R1和R2,在基区内设有前级晶体管T1及后级晶体管T2的发射区,在...
所属类别:集成电路(IC) 产品名称:双达林顿模块 厂商:Powerex 生产批号:06+ 封装:模块 库存状态:有库存 库存量:5000 最低订购量:0 详细资料: 产品介绍分享到: KC324515双达林顿模块由Powerex原厂生产,采用模块封装,批号06+,微芯百年集成电路仓库目前有库存...