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摘要 本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法,本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层电极。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶...
1.一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其特征在于：包括衬底层(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、第一极基区(4)、电极(5)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)、氮化硅层(10)和底层电极(11)，所述底层电极(11)、N型硅外延层衬底(1)、N型硅外延层(2)、...
驱动MOS管用东芝TLP701,如果要直插封装的达林顿光耦用TLP627,-2,-4
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该IL755是单通道达林顿光耦 plers 。在ILD755有两个独立的通道, 单一的DIP封装。 它们设计用于要求探测器的应用 化或监测的交流信号。 最大额定值 辐射源 (每个通道) 连续正向电流... 60毫安 25功耗 ° ... 100毫瓦 25线性降额 ° ... 1.33毫瓦/ ° C 探测器 (每个通道) 集电极 - 发射极击穿电压.....