使用双栅极TFT结构的设备和方法 [0001]发明背景 [0002]数字X射线检测器(DXD)含有二维像素元件阵列。每个像素元件通常含有二极管元件和薄膜晶体管(TFT)元件。所述二极管元件收集从入射于闪烁体材料上的X射线转换的光。TFT元件充当开关。当“断开”所述开关时,没有电荷经由数据线从二极管元件传递到
本发明提供一种双栅极TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极TFT基板的制作方法,先在基板(1)上依次制作底栅极(2)、第一绝缘层(3)、岛状半导体层(4)、第二绝缘层(5);然后沉积第二金属层,通过一道光罩对第二金属层进行图案化处理,同时形成源极(61)、漏极(62)、及顶栅极(63);再依次制作第三绝缘层(7)、及像...
上述双栅极金属氧化物半导体tft基板的制作方法,根据金属反光增强曝能量的原理,以半色调掩膜板为工具,在半色调掩膜板的半透光区的曝光区域内通过底栅极、源极、与漏极的反光使得不同部位的光阻厚度有差异,并利用光阻厚度的差异来实施相应的图案化处理,能够使得底栅极与源极和漏极完全不重叠,顶栅极与源极和漏极完全不...
该双栅极TFT基板的制作方法,先在基板(1)上依次制作底栅极(2)、第一绝缘层(3)、岛状半导体层(4)、第二绝缘层(5);然后沉积第二金属层,通过一道光罩对第二金属层进行图案化处理,同时形成源极(61)、漏极(62)、及顶栅极(63);再依次制作第三绝缘层(7)、及像素电极(8),能够提高TFT的稳定性,减少光罩数量,...
使用双栅极TFT结构的设备和方法 (57)摘要 检测器具有按列和行布置的像素阵列。所述像素中的每一者具有光电传感器和开关装置。每对行相邻像素中的所述开关装置连接到共同数据线和共同底部栅极线。一对顶部栅极线各自连接到所述行相邻像素对中的一个像素。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说...
图5b的顶部部分中的交替的tft结构是含有底部栅极和顶部栅极电极的双栅极tft元件。具有带有单独的顶部栅极电极的tft将允许根据i-v曲线来调整阈值电压,如本文阐释。如果将使用顶部栅极控制线的阈值电压设定为显著负,例如,在示例性配置中设定于-10v,那么甚至在将底部栅极控制设定为“接通”时,将没有电荷从光电二极管元件...
采用COA技术的双栅极TFT基板结构 (57)摘要 本发明提供一种采用COA技术的双栅极TFT基板结构,包括:基板(1)、设于基板(1)上的底栅极(2)、覆盖底栅极(2)与基板(1)的底栅绝缘层(3)、于底栅极(2)上方设于底栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、设于有源层(4)与底栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)、设于蚀刻...