参数测试总是直接在半导体晶圆片上执行。在生产测试中,参数测试结构有时是位于晶圆片的刻线行或“街道”中,从而尽量减少器件所占的晶圆片面积。通常只是对参数测试结构,而不是对整个晶圆片进行工艺开发和可靠性测试。 图1.4 — 为节省宝贵的晶圆片面积,参数测试结构有时放在晶圆片的刻线行 (或“街道”) 内。 在...
Q: 网络分析仪为什么测量 S参数(散射参数),而不是 H, Y 和 Z参数? S参数有什么优点? A: S参数,也就是散射参数,S代表了Scatter,直接翻译是“分散〞的意思,在电路中代表频域特性观察,与Z参数 (Impedance parameter)一样(还有Y参数,代表阻抗的倒数1/),属于多端口网络系统的参数-是微波传输中的一个重要参数。
e路桐行QC小组加工制作分体引下式线路参数测试配套装置 去繁化简 生产管理更高效 测试时,操作人员只需根据试验要求就地依次分合对应闸刀,即可完成所需测试线试验接线操作,降低工作强度,整体线路参数测试时间由99.58分钟缩短至53.86分钟,作业效率提高46%。 使用新装置开展线路...
fail_timeout=TIME 该参数用于设置客户端到达 max_fails 次数后,该server 被暂停的时间。如果没有设置该参数,那么默认为 10秒。 down:如果为某一个 server 设置了该参数,那么标记了这台 server 将永久离线。通常这个参数与 ip_hash 一同使用。 backup:该参数在 0.6.7 版本中提供,它是一个备用标识,如果出现所...
注意：下文中加粗字体为变量，需根据MOS规格书来确定实际参数。VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，瞬间增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS2的电压。ISSS电流...
MOSFET原理详解与参数测试(2) 描述 4、Rdson是个什么东东? Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时,漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后,Rds(ON)的值不是一成不变的,主要取决于VGS的值。Rds(ON)的值一般都是在mΩ级别,当MOSFET电流达到最大时,则Rdson必然是最小的。对于MOSFET来说,Rdson...
任何差分平衡参数测试,首先需要创建相应的混合模S参数的轨迹。 1) 设置轨迹运算的方法 菜单路径:[轨迹]→[新建轨迹]→[平衡参数],显示新建轨迹对话框。 2) 平衡器件拓扑设置方法 路径: [新建轨迹]对话框→[改变]按钮,显示被测件配置对话框;逻辑端口是用来描述矢量网络分析仪物理测试端口新的平衡测试中的映射关系...
1 单点输入多点输出模态参数测试 单点输入多点输出方法在实验时,激励点是固定的,且可以同时测试多个点的响应。该方法测试效率较高,广泛用于中型机构的实验模态分析。由于同时测量多个点,传感器的质量和要小,以减少附加质量对结构特性的影响。激励方法可以采用锤击法或激振器激励法。本文采用了激振器激励法。激振器激...
纳普科技高精度功率计PM9816交直流电参数测试仪积分型功率分析仪 是德鑫科技(深圳)有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥83.30 成交12台 CEM华盛昌DT-321S湿球露点检测仪 工业级±0.1℃ 多参数测量 深圳市华之慧实业股份有限公司 5年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福...
对脚本中的常量(数据)分别使用变量来替换,变量的取值又来自某个文件中,设置取值方式以及迭代方式即可实现参数化测试。比如准备大量的合法数据进行注册或者登录等,尽量达到模拟用户真实使用系统的情况 【工作组件】在虚拟用户生成器(Vugen)中设置。 【实现步骤】 ...