注意:扩散面须向上放置, H2SO4硫酸不参与反应,仅仅是增加氢离子浓度,加快反应,增加溶液黏度(增大溶液与PSG薄层间的界面张力)和溶液密度,使硅片很好的浮于反应液上(仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触)。 碱洗槽 KOH喷淋中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液,去除硅片表面的多孔硅及其杂质,去除扩散形成的染色,KOH溶...
湿法刻蚀及去PSG原理湿法刻蚀原理利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。边缘刻蚀原理反应方程式:3Si +4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2↑ +8H2O去PSG原理:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序检验...
PSG（Phospho Silicate Glass）是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。扩散原理：POCl3在高温600℃下分解，产生P2O5和PCl5,然后2P2O5 +5Si—— 5SiO2 +4P，这样生成的P就可以扩散到硅片里，实现P掺杂。在扩散中，我们还比通入足够的氧气，这样PCl5和氧气反应...
光伏去PSG工艺作业指导书去PSG工艺作业指导书 公司生产车间名称:光伏1号 文件名称:去PSG工艺作业指导书 版本:A 文件编号: 修订: 文件类型: 撰写人: 目的:1.去除磷硅玻璃(PSG); 2.制作合格的太阳能硅片,保证人生安全。 适用范围:去除硅片表面的PSG 职责:工艺工程师:1.设定标准参数 2.设定标准操作规程 ???
晶硅太阳能电池制备工艺——刻蚀及去psg工艺 是在优酷播出的教育高清视频,于2019-05-19 20:36:29上线。视频内容简介:晶硅太阳能电池制备工艺——刻蚀及去psg工艺
PSG(PhosphoSilicateGlass) 是磷硅玻璃的意思,在太阳能电池片的扩散工艺后,硅片表面会形成一层PSG,必须去除。 扩散原理: POCl3在高温600℃下分解,产生P2O5和PCl5,然后2P2O5+5Si——5SiO2+4P,这样生成的P就可以扩散到硅片里,实现P掺杂。在扩散中,我们还比通入足够的氧气,这样PCl5和氧气反应,生成P2O5和Cl2,从而避免...
晶硅太阳能电池制备工艺——刻蚀及去psg工艺 05:49点击试看 免广告看全片 预览播放中,打开优酷APP看高清完整版 晶硅太阳能电池制备工艺——刻蚀及去psg工艺 +追 超清画质 评论 收藏 下载 分享 选集 05:49 晶硅太阳能电池制备工艺——刻蚀及去psg工艺 2019-05-19...
~刻蚀技术有两种，分别是干法和湿法。湿法采用HF，而干法则使用等离子刻蚀。不同于以上两种原理，激光刻蚀...
去PSG工序检验方法: 当硅片从HF槽出来时,观察其表面是否脱水,如果脱水,则表明磷硅玻璃已去除干净;如果表面还沾有水珠,则表明磷硅玻璃未被去除干净,可在HF槽中适当补些HF。 RENA InOxSide 工艺流程 RENAInOxSide的主体分为以下七个槽,此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
去PSG工序检验方法: 当硅片从HF槽出来时,观察其表面是否脱水,如果脱水,则表明磷硅玻璃已去除干净;如果表面还沾有水珠,则表明磷硅玻璃未被去除干净,可在HF槽中适当补些HF。 RENA InOxSide 工艺流程 RENAInOxSide的主体分为以下七个槽,此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。