专利摘要显示，一种去除金属薄膜表面光刻胶的方法，包括：提供半导体衬底；在包含刻蚀停止层的衬底上低温沉积金属薄膜；旋涂光刻胶形成光刻胶掩膜层，在光刻胶掩膜层上进行光刻形成金属图形化窗口；通过金属图形化窗口刻蚀金属薄膜，并使用灰化去胶工艺去除光刻胶，清洗后得到图形化的金属薄膜。本申请通过改变金属薄膜的...
等离子去胶聚合物是利用等离子技术去除光刻胶的方法。在这个过程中,氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体,这些具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应,使有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室,从而达到去除光刻胶的目的。这个过程也被称为灰化或者扫胶。 二、等离子去胶聚合物的应用 微波等离子去胶...
1.一种生产微电子器件的方法,其包括: (a)在基板上形成一个第一介电层; (b)在第一介电层上形成一个任选的蚀刻停止层; (c)在第一介电层或任选的蚀刻停止层上形成一个第二介电层; (d)在第二介电层的上表面上沉积一层光刻胶并且以成像方式除去与第一介电层的至少一个通孔相对应的一部分光刻胶; (...
金融界2024年4月27日消息,据国家知识产权局公告,浙江扬帆新材料股份有限公司申请一项名为“一种实现简易去胶的飞秒激光光刻胶及其制备、去胶方法“,公开号CN117930586A,申请日期为2023年12月。 专利摘要显示,本发明公开了一种实现简易去胶的飞秒激光光刻胶及其制备、去胶方法,属于高分子光固化领域。本发明所提供...
光刻胶的去胶方法 (57)摘要 本申请提供一种光刻胶的去胶方法,包括: 传输步骤,将完成刻蚀工艺后的晶圆传入去胶腔 室;准备步骤,向去胶腔室通入辅助气体,同时对 去胶腔室进行抽气使去胶腔室处于第一预设压 力,流经去胶腔室的辅助气体携带附着在光刻胶 上的刻蚀副产物排出去胶腔室;去胶步骤,向去 胶腔...
9、一种除去光刻胶的方法,包括: 在衬底上形成光刻胶膜;以及 使用包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯以及选自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物构成的组的至少一种酯化合物的稀释剂组分从衬底除去光刻胶膜。 10、根据权利要求9的方法,其中 丙二醇醚乙酸酯包括选自由丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇一...
在光刻制程中,利用真空抽取气泡的方法去除光刻胶中的气泡,能够提高产品的质量。具体操作方法如下: 1. 准备真空装置:需要一个真空泵以及真空室。 2. 准备样品:将待处理的产品或者待去除气泡的光刻胶放入真空室内。 3. 抽真空:将真空泵开启,使得真空室内的气体不断排出,直到达到一定的真空度。 4. 保持真空状态:...
灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体,其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压,从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣,另外从腔室表面上蚀刻并除去有害的氟烃残渣。在第二步清洗步骤中向基片施加增加的偏压,以便从基片上除去剩余的光刻胶和蚀刻残渣。两步工艺降低在常规的一步灰化工艺中常常观察到...
灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体,其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压,从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣,另外从腔室表面上蚀刻并除去有害的氟烃残渣。在第二步清洗步骤中向基片施加增加的偏压,以便从基片上除去剩余的光刻胶和蚀刻残渣。两步工艺降低在常规的一步灰化工艺中常常观察到...
所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展,广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械...