分子束外延是一种在超高真空环境下,通过分子束热蒸发的方式进行的表面沉积技术。这种技术在外延基底上逐层地生长薄膜,其原理是利用分子束热蒸发的方式,将固体材料蒸发成气相分子流,并通过精确控制分子束的能量和方向来控制薄膜的生长过程。分子束外延具有较高的生长速率和较高的晶格质量,可用于制备具有较高电子迁移率...
原子层沉积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)和分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,简称MBE)是两种重要的薄膜制备技术,广泛应用于半导体、光学和能源等领域。 原子层沉积技术是一种自下而上的薄膜制备方法,通过气相沉积的方式,将材料原子一层一层地沉积在基底上。ALD技术的特点是薄膜厚度可控、成分均匀、生长速率慢,因...
嘉兴科民电子设备技术有限公司的ClusterALD-DSL型多腔室集束型原子层沉积系统是专门为集成电路前端制造先进工艺开发的薄膜沉积设备。系统采用国际先进成熟的设计思想和制造技术,充分考虑使用化学前驱体的安全性,设计与生产遵循世界半导体行业的相关的安全标准SEMI-S2,S8标准,以优良的品质,极高的可靠性,超长的使用寿命受到...
原子层沉积技术的基本原理是通过气体反应在样品表面形成单原子层或少数原子层的薄膜。在ALD 过程中,前驱体(如金属有机化合物)被引入到反应室中,与衬底表面发生反应,生成薄膜。然后,通过引入清洗气体将未反应的前驱体从表面移除,使得下一个周期可以开始。这个过程重复进行,直到达到所需的薄膜厚度。 三、分子束外延技术...
原子层沉积原理电子束曝光与原子层沉积的集成技术原子层沉积原理原子层沉积原理1.原子层沉积是一种通过自限制化学反应,逐层沉积薄膜的技术,具有出色的厚度控制和均匀性。2.该技术利用前驱体脉冲交替引入反应室,通过化学反应在基底表面形成薄膜,每层厚度仅单个原子或分子级别。3.原子层沉积过程中的化学反应是自限制的,...
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原子层外延可以精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长，外延表面更加原子级平整，外延层的厚度只决定...
在进行dlc薄膜沉积之前,载体基材首先经过预处理和离化原子团束的清洗预处理的综合预处理,目的是去除表面吸附物和氧化层,更重要的是在表面形成大量的悬挂键,这些悬挂键有很强的活性,使得到达表面的沉积原子和离子易于与基板材料形成牢固结合,从而提高镀膜对基体的附着强度。 作为上述方案的进一步优选的技术方案,利用载能...
摘要 本发明公开了一种载能离化原子团束辅助化学气相沉积制备DLC薄膜的方法及其系统,以无机或者有机基板作为基底,在薄膜沉积之前,利用载能离化原子团束对基底进行溅射清洗、活化和平坦化处理;采用PECVD的方法在基板表面沉积DLC薄膜,同时利用载能离化原子团束对沉积的DLC薄膜进行轰击,获得高度致密的DLC薄膜。采用...
首先,采用电子束蒸发的方法快速沉积无机钝化层形成第一层封装薄膜,目的是防止原子层沉积过程中反应物对有机器件的侵蚀;其次,由于电子束蒸发所能形成的封装薄膜在有机器的长期存放过程中气体阻隔性能有限,因此电子束蒸发之后采用原子层技术慢速沉积致密无孔的第二层封装薄膜来进一步阻隔水氧。该封装方法避免了辐射与高温...