原子层沉积 (ALD) 起源于原子层外延，该技术于 1970 年推出，最初用于电致发光显示器。它迅速改变了半导体应用，突破了摩尔定律的极限。如今，ALD 是一种成熟的超薄膜沉积方法，可以控制薄膜的成分、一致性、自饱和度、厚度和均匀性。自 2007 年英特尔首次在工业上引入 ALD 以来，它已在传感器、储能、催化、存储...
概念:原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),又称单原子层沉积或原子层外延,它的概念由芬兰科学家Suntol和Antson在20世纪70年代率先提出并用于多晶荧光材料 Mn 掺杂 ZnS 和非晶 Al2O3 绝缘层的研制。 工作原理:ALD是以气相前驱体分时通入反应腔,前驱体没有气相环境下的直接接触,反应过程需借助于衬底表面,通...
原子层沉积 (ALD) 是一种通过氮气吹扫分离的脉冲化学蒸汽(“前体”)顺序暴露表面的技术。第一种前体通过与基材表面(通常与终止表面的 OH 基团)反应形成一个单层涂层。下一个前体与先前形成的单层表面反应,并形成另一个单层。通常使用两种不同的前体,导致二元...
原子层沉积(ALD,AtomicLayerDeposition)是一种用于制造薄膜的纳米级薄膜沉积技术。其基本原理是通过交替地引入两种或多种前驱体(通常是气态的前驱体),在基材表面进行自限性反应,从而在原子层面一层层地构建薄膜。 以下是ALD的一些关键特征: 自限性反应:每个反应循环中,前驱体分子只会在基材表面未被覆盖的部位发生反应...
原子层沉积 Atomic Layer Deposition 获得改进控制的秘诀是将沉积过程分成半个反应,每个反应都可以很好地控制。ALD 工艺首先用前体注入反应室,该前体涂覆(或“吸附”到)晶片的暴露表面。这个过程被称为自限性,因为前体只能吸附在暴露区域;一旦所有这些都被覆盖,吸附就会停止。然后引...
1. 原子层沉积的基本原理 物理化学基础 原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于表面自限制反应的薄膜沉积技术。其原理依赖于两个或多个前驱体在反应室中交替引入，通过化学吸附和反应形成原子级别的薄膜。ALD的关键在于每次反应都是自限制的，即每次化学吸附会饱和表面，不会发生过度反应，从而实现对薄膜...
一般的原子层沉积过程如图1.它由与基质反应的气态化学前体的连续交替脉冲组成。这些单独的气面反应被称为“半反应”，并且仅构成材料合成的一部分。在每个半反应过程中，前驱体在真空 （<1 Torr） 下脉冲进入腔室指定时间，以使前驱体与基板表面通过自限性过程，在表面留下不超过一个单层。随后，用惰性载气（通常...
ALD 是一种精确的薄膜沉积技术,其核心原理是利用化学反应的“自限性”,以原子或分子层为单位逐层生长薄膜。 具体过程包括: 前体吸附:将化学前体(Precursor)引入反应室,前体分子在衬底表面发生吸附,形成单分子层。 吹扫:用惰性气体(如氮气或氩气)将未吸附的前体和副产物清除,确保仅剩化学吸附的分子。
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度 薄膜沉积 技术,是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。将两种或更多种前体化学品分别包含被沉积材料的不同元素,一次一种地分别引入到衬底表面。每个前体使表面饱和,形成单层材料。 原子层沉积原...