原位掺杂是半导体材料掺杂的最有效方法是在材料生长过程中进行。在材料的高温生长过程中杂质进入对晶体结构并没有损伤,而且杂质同时被激活,避免了后期的退火工艺和大的热预算。只有完整覆盖的薄膜材料比较容易使用这种方法。 硅烷(SiH4)是最常用的反应气体,二氯甲硅烷(Si...
会员中心 VIP福利社 VIP免费专区 VIP专属特权 客户端 登录 百度文库 期刊文献 学位原位掺杂工艺原位掺杂工艺是在半导体材料生长或制造过程中直接在材料的生长位置引入掺杂元素,以改变其电学性质的一种技术。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
原位掺杂:在制备材料的原料中掺入杂质,即让掺杂与材料制备同时进行的掺杂方法。 嬗变掺杂:利用核反应中的原子嬗变将半导体中的同位素原子嬗变为杂质原子。 离子注入法掺杂:是利用离子加速装置将电离杂质加速到足够高的平均能量后强行注入半导体中的方法。 自补偿效应:伴随掺杂而产生与掺入杂质互为补偿的电活性缺陷,从而...
在硅片表面,硅烷分解成硅原子和氢气。 图 原位掺杂与电阻率关系 在化学气相淀积过程中,通过在反应物质流中加入合适的杂质源气体,就可以在多晶硅生长的过程中进行原位掺杂。三氯氧化磷(POCl3)是液态材料但可以采用惰性气体以蒸气的方式携带进入反应装置,它被作为CVD系统中的磷杂质源。乙硼烷(B2H6)砷化三氢(AsH3)以及...
原位掺杂，作为半导体材料掺杂的最有效手段，通常在材料生长阶段进行。高温生长过程中，杂质无损地融入晶体结构，同时被激活，从而避免了后续的退火工艺和大的热预算。此方法特别适用于完整覆盖的薄膜材料。在硅片表面，硅烷（SiH4）作为最常用的反应气体，会分解为硅原子和氢气。此外，二氯甲硅烷（SiH2Cl2）和四氯化硅（...
原位掺杂多晶硅是一种利用电子束或其他辐射源来掺杂硅片的方法。这种方法可以在硅片表面产生非常细小的多晶颗粒,这些颗粒的尺寸通常在10纳米到100纳米之间。这些颗粒能够在制造半导体元器件时提供低电阻率和高耐受性,因此被广泛应用于半导体领域。 二、原位掺杂多晶硅的特点 原位掺杂多晶硅具有许多优点,包括高精度、高...
原位掺杂镀膜技术是一种将掺杂和镀膜两个过程结合在一起的材料制备技术。在镀膜过程中,掺杂元素可以与基体材料一起蒸发或沉积,从而实现在基体材料中的均匀掺杂。这种方法的优点是可以更精确地控制掺杂的浓度和分布,从而得到更均匀、更稳定的材料。 二、应用领域...
近日,西安理工大学李喜飞教授课题组联合中国地质大学白志民教授课题组探究了两种不同掺杂方式的区别。此工作借助ALD技术在正极材料表面和前驱体表面先进行氧化物包覆,再通过高温退火处理,得到非原位掺杂和原位掺杂的产物ex situ NCM和in situ NCM...
1）原位掺杂---淀积poly的过程中直接掺杂；特点：Ø控制性更好；能够在材料生长或淀积的过程中实时监...
本征掺杂原位掺杂的意思是通过掺杂改变性质。所谓原位掺杂多晶硅是指在淀积多晶硅的同时通入含有杂质的气体，掺杂是指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化，多种物质混杂在一起，在化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能。