什么是压电效应?它是一种力场和电场转换的物理现象。简单来说,压电材料在平衡态下,正负电荷的中心位置相同;当晶体伸长或缩短时,正负电荷的中心不再重合,晶体表面产生感应电荷;加上电极并连通电路,就能得到电流。反之,通过逆压电效应,对压电材料施加电场,材料发生
本文将压电-光电子效应应用在了GaN纳米线基p-n同质结发光二极管中,所得器件具有增强的量子效率的同时其量子效率衰减得到了抑制。通过对p-n结施加压缩应变可以使LED的EQE增强超过600%,而且量子效率衰减降低。文中还对其中的物理机制进行了详细讨论和描述。本文的工作不仅对压电-光电子效应在p-n同质结中的作用有了...
此外,瞬态温度变化诱导的热释电势与脉冲激光照射下通过热释电光电子效应促进的载流子梯度相耦合,最终实现了64.25 mV/MPa的最佳压力灵敏度和7.8/8.9 μs的惊人快速响应。这项研究提出了一种利用单片结构开发基于压电-热释电光电子效应的超快、高灵敏度、自供电压力传感器的新方法。 该研究成果已经以“Ultrafast, sel...
近日,在佐治亚理工学院教授、中科院北京纳米能源与系统研究所所长王中林院士的指导下,戴叶婧副教授、王幸福博士和彭文博博士等研究人员首次将压电光电子效应引入到硅基近红外探测器中,在硅基底上通过水热合成压电半导体硫化镉纳米线获得了Si/CdS异质结光探测器,利用压电半导体硫化镉的压电效应来调控非压电半导体材料硅的...
近日,在佐治亚理工学院教授、中科院北京纳米能源与系统研究所所长王中林院士的指导下,戴叶婧副教授、王幸福博士和彭文博博士等研究人员首次将压电光电子效应引入到硅基近红外探测器中,在硅基底上通过水热合成压电半导体硫化镉纳米线获得了Si/CdS异质结光探测器,利用压电半导体硫化镉的压电效应来调控非压电半导体材料硅的...
佐治亚理工学院教授兼中科院北京纳米能源与系统研究所所长王中林院士,戴叶婧副教授、王幸福博士和彭文博博士等研究人员首次将压电光电子效应引入到硅基近红外探测器中,在硅基底上通过水热合成压电半导体硫化镉纳米线获得了Si/CdS异质结光探测器,利用压电半导体硫化镉的压电效应来调控非压电半导体材料硅的光电性能。[原文链...
压电光电子学效应调控4H-SiC纳米线阵列的光电探测性能一、引言在过去的几十年中,压电材料及其应用成为了研究的热点领域,而硅碳(SiC)因其优越的物理化学性能而受到特别关注。作为压电材料的重要一员,4H-SiC因其高耐热性、高电子饱和速度以及宽禁带等特点,在光电探测领域中表现出显著的应用潜力。本篇论文旨在研究压电...
目前,压电光电子学效应调控的太阳能电池大多是基于单根纳米线的器件,这类器件对太阳能转化的总量很小,因此很难实现真正的应用,需要制备大面积的阵列结构。还有一类光伏器件是基于压电纳米线阵列和p型聚合物光吸收层,但是聚合物的稳定性是一个需要解决的问题。
压电效应是一种实现电能与机械能之间相互转换的重要物理现象。随着集成光电子技术和压电薄膜材料制备技术的日益成熟,压电效应在光电子集成芯片领域引起广泛的研究。在压电效应的作用下,外部电场可以操控薄膜材料的形变,从而改变折射率,实现光电调谐和声光调制。
本文首先介绍常见压电薄膜材料及其研究进展,随后回顾和探讨基于压电效应的光电子集成器件的研究进展。得益于压电调控光子集成器件的超低功耗、快速响应、线性调谐等优势,已在酉矩阵计算、矩阵乘法运算、孤子频梳驱动生成等应用中体现出巨大的潜力价值。除此之外,利用压电薄膜中光场与声场的高效耦合,基于压电薄膜材料的高效...