本发明提供一种磁感应压电陶瓷薄膜材料及制备方法,首先将压电陶瓷粉通过涂布方法制备成膜,然后在膜面涂布柔性连接材料,进一步在表面涂布磁致伸缩材料,从而形成磁感应压电传感薄膜材料.该传感薄膜材料在外界磁场发生变化时,磁致伸缩材料发生微小形变,通过柔性连接材料,将这种应变传输给压电陶瓷材料,从而使压电陶瓷快速响应...
本发明解决的技术方案是,本发明无铅压电薄膜材料为钛酸铋钠-钴酸铋无铅压电薄膜材料(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBiCoO3(BNT-BC),其中x为摩尔数,0<x≤0.06,其制备方法采用PLD制备钛酸铋钠钴酸铋压电薄膜,具体是: A、制备BNT-BC靶材:用固相反应法制备BNT-BC靶材,包括以下步骤: (1)按照(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xB...
FeO定向调控PMN‑PT薄膜生长取向的压电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:选取STO基片作为衬底,STO基片的晶面取向为[100]或[110]或[111];在STO基片上生成SRO层作为底电极层;在SRO底电极层上生成CFO层作为调控层;在CFO调控层上生成PMN‑PT层作为外延层,形成外延结构为STO/SRO/CFO/PMN‑PT的薄膜材料。
方法包括:提供衬底基板和压电材料基板,衬底基板和/或压电材料基板的近表面层中具有通过离子注入形成的第一缺陷层;键合衬底基板和压电材料基板,得到包括衬底基板层和压电材料基板层的键合结构;其中,衬底基板和/或压电材料基板的、靠近第一缺陷层的表面为键合面;加工键合结构,使键合结构中的压电材料基板层形成具有...
PMN‑PT薄膜材料包括具有特定晶面取向的衬底、形成于衬底上的底电极层、形成于底电极层上的调控层、以及形成于调控层上的外延层,调控层为基于底电极层生长的CFO层,外延层为基于调控层生长的PMN‑PT层,PMN‑PT层的外延取向为[111];其制备方法为选取晶面取向为[100]或[110]或[111]的STO基片作为衬底,在...
本发明涉及无机材料制备技术领域,公开了一种一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法和柔性压电薄膜及其应用.其中,该方法包括:(1)将五氧化二铌,第一过渡金属氧化物,可选的第一碱金属盐或碱土金属盐,第一熔盐与醇进行熔融以及焙烧处理,得到非钙钛矿型铌酸盐;(2)将所述非钙钛矿型铌酸盐作为模板,然后将...
本发明提供一种柔性压电薄膜复合材料及其制备方法,该柔性压电薄膜复合材料由甲胺碘铅和热塑性聚氨酯弹性体通过流延成膜的方法制得.本发明的柔性压电薄膜复合材料通过向甲胺碘铅中掺杂热塑性聚氨酯弹性体,使其在具有较好的压电性能和灵敏度的同时,可在较宽的温域内保持良好的柔性和稳定性,且因热塑性聚氨酯弹性体的掺入...
本发明公开了一种无铅压电薄膜材料及其制备方法,无铅压电薄膜材料的化学通式为:(1x%)(Bi0.5Na0.5)TiO3x%BaZrO3;包括,将BNTxBZ前驱体溶液陈化,得到溶胶;将溶胶均匀旋涂在基片上,得到湿膜;对湿膜进行热解,烧结处理,得到中间薄膜;在中间薄膜上,重复旋涂溶胶,热解及烧结处理,得到预设厚度的薄膜;对预设厚度的薄膜...
一种无铅压电薄膜材料,其成分和化学式为(Ba0.9CaxSr0.1-x)(Ti0.87NbyFe0.13-y)O3的铌铁钛酸钡钙锶薄膜材料,式中0 33达320pC/N,此外还具有低漏电流,表面致密,没有微裂纹且晶粒尺寸大小均匀和强电滞效应等优点,本发明对铁电薄膜在微电子领域中的应用具有重大意义.石敏钟家刚许育东王雷...
本发明公开了一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜和该薄膜的制备方法.该压电复合材料薄膜包括PVDF-HFP和炭黑颗粒,在PVDF-HFP基体中添加质量百分比为0.05%~0.8%的炭黑颗粒.其制备方法为:1,将炭黑颗粒与溶剂混合搅拌制成悬浊液,再加入PVDF-HFP经搅拌制得PVDF-HFP溶液,使混合物充分混合;2,将混合溶液在行星搅拌器中再...