为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一 层50am的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基 oxide 片上;最后,放人BOE(bufferedetchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影 响,对比
为了有效地去除残胶,本文提出了一种利用多层掩模去除压印残胶的方法,首先在基片和压印胶之间沉积50nm的二氧化硅;接着用纳米压印工艺转移光栅图形到压印胶上;然后干法刻蚀转移光栅图形到基片上;最后用BOE(Buffered Oxide Etchant,NH4F∶HF=6∶1)漂洗,得到了表面残胶去除干净的光栅。 2 实验细节和结果讨论 2.1 压印制...