单粒子闩锁效应最早是由荷兰科学家维布指出的,他在研究著名的范德波尔系统时发现,当范德波尔系统受到扰动时,系统中的一个粒子会通过耦合现象产生闩锁效应。这一发现引起了科学家们的广泛兴趣,并且在随后的研究中得到了进一步的证实和发展。 闩锁效应的原理可以通过一个简单的模型来解释。设想一个有两个粒子组成的系统,其中一个粒子是稳定的,而另一个
这就是所谓的单粒子闩锁现象。 更好地理解单粒子闩锁地原理,我们不妨从日常生活中找到一个类比:假设你正在使用一台电风扇,突然电流发生了波动这种波动可能会让风扇的开关被意外打开或关闭。就像是单粒子闩锁它打破了电路的正常工作。影响了电器的正常运行。而太空中的单粒子闩锁。就像是那种无形的电流波动,强烈、迅猛...
单粒子闩锁 (共100件相关产品信息) 更新时间:2024年12月14日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥65.00/个 上海 全系列型号供应Norelem 05550-1421122 闩锁德国原装进口 不锈钢 上海旌晗机电设备有限公司 3年 查看详情 ￥1.00/个 广东深圳 SN74HCT373DWR HCT...
单粒子闩锁试验是一种评估芯片抗单粒子闩锁能力的试验,需要使用LET(线性能量转移)在75MeV∙cm²/mg以上的重离子进行辐照,注量率约为10³ions∙cm⁻²∙s⁻¹,每个测试项目的测试时间约为2小时,注量达到10⁷ions/cm²。...
17.一种芯片单粒子闩锁防护系统的控制方法,所述芯片单粒子闩锁防护系统是采用上述的芯片单粒子闩锁防护系统,该方法包括以下步骤:设置包括闩锁防护电路的芯片单粒子闩锁防护系统;当芯片处于上电状态时,电流检测芯片对供电回路进行电流检测,并与预设电流阈值进行比较,判断是否发生单粒子闩锁效应,若供电电流大于预设电流阈值后...
单粒子闩锁效应是航天电子设备中常见的问题,高能粒子撞击芯片可能触发寄生晶体管导通,导致电流激增甚至器件烧毁。要解决这个问题,得从材料、设计、监测等多个环节入手,把防护措施融入每个细节。 材料选择上优先考虑抗辐射工艺。例如使用绝缘体上硅替代传统硅基材料,这种工艺能切断寄生电流路径,降低闩锁风险。阱结构优化也很...
微小卫星在太空运行时会遭遇高能粒子辐射，可能引发单粒子闩锁效应，这种效应会导致电路内部形成寄生晶闸管结构，造成电源与地线之间短路，若不及时处理，可能烧毁芯片甚至导致整星失效，针对这一问题，科研人员从器件级、电路级、系统级三个层面开发了防护技术。器件层面采用工艺加固方法，例如某型号处理器采用埋氧层厚度0....
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一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法.pdf,本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法,基于器件内部工艺参数,利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程,弥补了NM