宇宙射线中的高能质子是引发SET效应的常见粒子源 。重离子如铁离子等也能有效诱发单粒子瞬态效应 。SET效应可发生在各类半导体器件中,如CMOS芯片 。数字电路中的触发器对SET效应较为敏感 。模拟电路里的放大器也可能受SET效应干扰 。粒子能量越高,产生SET效应的概率和强度可能越大 。器件的特征尺寸越小,对SET效应的敏感性往往增加
单粒子瞬态测试技术涉及精确的脉冲产生与信号探测设备 。示波器常作为重要工具用于捕捉单粒子引发的瞬态波形 。探测器的性能对准确获取单粒子瞬态信号至关重要 。测试环境需严格控制以减少外界干扰对结果的影响 。粒子加速器可提供稳定且能量可控的高能粒子束用于测试 。 测试中要记录粒子的入射角度对单粒子瞬态的影响 。
本文所提出的抗单粒子瞬态扰动触发器加固结构在传统的抗单粒子瞬态扰动触发器加固结构基础上对电路进行了优化，不仅提高了电路的可靠性，还可以有效地降低电路所需功耗。通过仿真分析可以得出：与传统抗单粒子瞬态扰动触发器加固结构相比，本文所提出的抗单粒子瞬态扰动触发器加固结构具有以下优点：对门电路进行加固时，...
在辐射效应对电子设备,特别是半导体器件的影响研究中,单粒子瞬态和单粒子翻转是两种常见的现象。它们虽然都与单个高能粒子(如宇宙射线中的质子、中子或重离子)撞击电子系统有关,但在表现和影响上存在着显著的差异。 一、定义及原理 单粒子瞬态(SET): 定义:当高能粒子击中集成电路中的某个敏感区域时,会在短时间内产...
单粒子瞬态是一个多义词,请在下列义项上选择浏览(共2个义项) ·工学 ·核技术 首页 .工学.航空宇航科学与技术.航天.航天综合电子技术.航天微电子.集成电路 /single event transient;SET/ 高能粒子入射器件敏感区,在器件中产生瞬态电流脉冲进而导致电路功能错误的现象。是一种单粒子效应。
单粒子瞬态效应是由粒子对介质中电子的能量传递引起的。当一个粒子（如电子或光子）穿过介质时，它与介质中的原子或分子相互作用，导致电子从其原子轨道中激发出来或被剥离。这些激发态或离子化态仅在瞬间存在，并迅速衰减。在这个过程中，空穴被形成，它在周围介质中移动直到与其他电子重新结合。这个重新结合过程的...
一种常见的方法是利用加速器产生高能粒子,并将其辐射到器件上,通过对器件输出信号的分析,研究单粒子瞬态效应的特性。另外,还可以利用模拟器件对单粒子瞬态效应进行仿真,以更好地理解该现象的机理和影响。 单粒子瞬态效应对微电子器件的稳定性和可靠性产生了很大的挑战。在现代半导体器件中,采用了很多方法来抑制单粒子...
单粒子瞬态是指一个粒子在某个瞬间从一个状态突变到另一个状态的现象。换句话说，这个粒子在瞬间从一个能级跃迁到另一个能级，而不经过中间的能级。这种瞬态过程可以通过光的激发、热激励或其他外部条件引起。例如，一个电子在受到光照射后被激发到高能级，然后在很短的时间内返回到低能级，发射出光子...
通过以上的方法,可以捕获初始单粒子瞬态电流脉冲波形,直观地测量单粒子电流脉冲的上升时间、脉冲宽度、脉冲幅度等参数。而且可以进一步通过单粒子瞬态电流脉冲的波形分析表征电路的节点状态,获取单粒子电流脉冲在具体电路中的宽度分布,得到电路抗单粒子辐射的加固依据。 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的...
单粒子效应是一种瞬态效应,指某个特定的高能粒子穿过电路敏感区域所引起的电路故障,这个故障可能是可恢复的或是永久性的。 2022-07-13 11:23:05 如何对ADC、DAC、PLL进行单粒子翻转容错设计 在太空中,高能粒子会对器件造成单粒子翻转效应。因此,在太空中使用的ADC、DAC、PLL这些器件,除了在工艺方面做抗辐射处理,...