1. 粒子能量:高能粒子的能量越高,对碳化硅器件的损伤越大,越容易引发单粒子烧毁。 2. 器件结构:碳化硅器件的结构也会影响其抗单粒子烧毁的能力。一些特殊设计的结构,如采用多层结构或增加保护环等,可以提高器件的抗烧毁能力。 3. 工作环境:碳化硅器件所处的工作环境也会对其抗烧毁性能产生影响。例如,...
宇宙射线可以触发功率器件中的单粒子烧毁(SEB)。高能粒子级联是由宇宙射线和大气原子核之间的核反应产生的。在海平面,这些粒子中有97%以上是中子,通量约为10个中子/(cm2·h),随着海拔升高,大气中子通量增加 。这种高能白光中子具有很高的穿透力,可以在电子设备中产生SEB。在白光中子辐照引起的SEB引起的芯片故障率研...
单粒子烧毁作用在材料科学、生物医学、光学等领域有着广泛的应用。例如,在纳米材料制备中,通过控制单粒子烧毁作用可以实现粒子大小、形态、结构等方面的调控;在生物科学研究中,单粒子烧毁作用可以用于破坏细胞膜、病毒壳等物体,从而研究其内部的结构和功能;在光学领域,通过单粒子烧毁作用可以制备出具有特殊光学性质的纳米...
ganmos管单粒子烧毁seb原理 GANMOS 管的结构特点对单粒子烧毁 SEB 有重要影响。 高能粒子入射是引发 SEB 现象的起始因素。粒子撞击导致产生大量的电子空穴对。电子和空穴的迁移会引起局部电场变化。电场增强可能突破 GANMOS 管的耐受极限。单粒子事件能在短时间内造成巨大能量沉积。器件内部的寄生效应在 SEB 中起到...
# SiC功率MOSFET中中子诱导的单粒子烧毁分析 # 1. 简介 大气中子导致功率半导体器件发生永久性失效。入射中子和器件组成核之间的核散裂反应产生的反冲离子在通过器件时会失去动能。损失的能量在沿反冲离子轨迹产生电子-空穴对时被消耗殆尽,从而产生高度局部的电流。当对器件施加高电压时,由于焦耳热,晶格温度局部升高。在...
单粒子烧毁 /single event burnout;SEB/ 最后更新2023-02-08 浏览101次 场效应管(MOS)内部由于单个高能粒子入射引起漏极-源极电流增大并超过额定电流,而造成器件烧毁的现象。 英文名称 single event burnout;SEB 所属学科 航空宇航科学与技术
单粒子烧毁是场效应管漏极-源极局部烧毁,属于破坏性效应。入射粒子产生的瞬态电流导致敏感的寄生双极结晶体管导通,双极结晶体管的再生反馈机制造成收集结电流不断增大,直至产生二次击穿,造成漏极-源极永久短路,直至电路烧毁,单粒子烧毁主要影响CMOS、power BJTs 、MOSFETs等器件。
单粒子烧毁作用过程是指一种将单独的微小颗粒(如细菌、病毒等)烧毁的方法。该方法通常使用激光或等离子体束等高能量源来照射目标颗粒,将其加热至高温并瞬间烧毁。 该方法的基本原理是利用高能量光或等离子体束的热作用,使微小颗粒表面温度快速上升,达到烧毁的温度。由于单粒子的体积很小,因此只需要对目标颗粒进行局部...
1.一种增强抗单粒子烧毁能力的ldmos器件,其特征在于,包括衬底p-sub和设置于衬底p-sub内的第一埋层bnl和第二埋层hvnwell,第一埋层bnl和第二埋层hvnwell邻接,衬底p-sub上部设置有第一n阱和第一p阱,第一n阱与第二埋层hvnwell邻接,第一n阱上设置有第二p阱,第二p阱上设置有h型的第二p+注入区,在h型的第二...
但是,SiC MOSFET 器件对单粒子效应比较敏感,尤其是在截止态时由于粒子入射导致的大电流,器件可能发生导致永久性破坏的单粒子烧毁(SEB)。地面单粒子试验是研究器件单粒子效应的常用技术手段,可以较为精准地评估器件的单粒子效应阈值电压,但是试验资源及成本限制常导致辐照条件及器件偏置等数据点数量有限。而采用TCAD 并...