金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，安徽承禹半导体材料科技有限公司取得一项名为“一种单晶片清洗装置”的专利，授权公告号 CN 222198120 U，申请日期为 2024 年 1 月。专利摘要显示，本实用新型涉及单晶片清洗技术领域，且公开了一种单晶片清洗装置，包括底板，所述底板的上端固定安装有超...
在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中，用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转，一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中，逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年来，由于高压喷气和极低温的关于向粒子喷射氮气溶胶等“清...
大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法,如下图所示,其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3)产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。最后冲洗不...
图3 “静态”晶片试验-传感器和液体分配方向;3种不同的传感器设置的晶片缺陷图 使用实验部分描述的探针进行声音测量。图4显示了图3中传感器条件A和B的归一化强度值.晶片上的清洁区域和声音探头的高信号区域之间有很强的相关性。与晶圆清洗测试一样,传感器条件A的轴向分量明显高于条件B。 图4 兆频超声波探头强度测...
将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对晶圆级封装中现有的和发展中的需求，去除厚的交联膜，如光刻胶和助焊剂，同时保持焊料凸点、暴露金属和电介质的预清洁完整性。随着晶片特征尺寸不断缩小，权衡对工艺的影响越来越大。当运...
将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合,导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对晶圆级封装中现有的和发展中的需求,去除厚的交联膜,如光刻胶和助焊剂,同时保持焊料凸点、暴露金属和电介质的预清洁完整性。
本文开发了一种新颖的单晶片清洗技术,以满足化合物半导体制造的需求:去除光刻胶和蚀刻后残留物,同时保持与各种化合物半导体材料、暴露金属和介电层的兼容性。CoatsClean平台是工艺和化学技术的结合,具有显著减少化学物质使用、缩短工艺时间、晶圆间一致性和工艺灵活性的特点。本文描述了CoatsClean技术,并展示了在生产聚酰...
单晶片清洗机进口清关代理 商品编号:T00906 型号:SU-3100 制造商:斯库林(SCREEN) 生产日期:2007年5月 机器尺寸(W × D × H):2,120 × 1,200 × 2,700 概述:SU-3100多达8个内置腔室每小时生产300片晶圆、SU-3100旨在适应半导体行业的这些全球趋势。作为久经考验的SU-3000技术的改进,SU-3100拥有更高的...
文章：单晶片清洗中分散现象对清洗时间的影响 编号：JFKJ-21-424 作者：炬丰科技 摘要 硅晶片制造涉及许多湿法工艺，其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中，流体分配是至关重要的，它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输，结果表明在冲洗时间的一般分析中必须考虑由于流体层上的非...
单晶片清洗设备化学药液温度控制系统研制