因此光刻通常在黄光室内进行。 涂胶是在涂胶机上进行(非真空),我们华林科纳有生产涂胶机,目前采用的光刻胶的粘度主要有有30、60、100mPas以及PW-1500等,一到四次光刻光刻胶一般采用负胶,类型有OMR 83环化光刻胶、HTR-80环化光刻胶、HTR 3-50、HTR 3-100光刻胶等,而钝化层光刻采用聚酰亚胺光刻胶,它是正胶...
《华林科纳-半导体工艺》湿法和颗粒去除工艺 引言 本文考虑了范德华相互作用的2个数量级范围,以考虑了实际粒子的形状和材料,将这些相互作用与静电电荷、阻力、表面张力、冲击波、高加速度和气溶胶粒子所产生的排斥力进行相互比较,可以预测不同清洗过程的内在能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗...
圆片经过正面蒸铝光刻并用210硅腐蚀液处理后后传入合金间,用去离子水冲洗后,按照工艺条件(一般为500—530℃)进行合金处理,步骤同金扩散,不要进行后处理。 2、氢气合金 圆片经过正面蒸铝光刻后传入合金间,用去离子水冲洗15min后,按照工艺条件(一般为500—530℃)进行合金处理,步骤同金扩散,不要进行后处理。由于氢...
目前,氧等离子体灰化和硫酸/过氧化氢处理已被用于光刻胶剥离。用这种等离子体和化学氧化工艺形成的二氧化硅被后续的 SC1 清洗步骤蚀刻掉,导致超浅结的硅凹陷,如图 3 所示。1. 图 2 显示了在 SC1 中常规光刻胶剥离和后续水清洗之前和之后的栅电极和源极/漏极扩展的横截面 SEM 和 TEM 图像。观察到的包括掺杂剂...
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15～20个直 径为200～...
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:从硅晶片上去除表面污染物以促进EUV光学表征 编号:JFKJ-21-1573 作者:华林科纳 摘要 极端紫外线(EUV)变得越来越重要。主要应用包括基于轨道空间的天文学和集成电路计算机芯片的光刻。进一步开发高效反射镜的一个主要障碍是在电磁波谱的这个区域缺乏各种材料的可靠光学常数。光学常数...
第一种方法包括在湿法刻蚀工艺之前对光刻胶表面进行氧等离子体处理。一般估计两种等离子体处理效果;首先,聚合物表面的氧等离子体处理改变了表面组成,并通过极性基团的形成使聚合物表面趋向于高度亲水,导致表面润湿性的改善。其次,通过调节等离子体条件,光刻胶显影后的有机残留物可以重新移动,在光刻胶表面形成硬壳层。
《华林科纳-半导体工艺》高效晶圆背面清洁工艺 引言 华林科纳已经为光刻前背面清洗工艺开发了具有全覆盖背面兆声波的单晶片清洗系统。背面颗粒去除效率 (PRE)仅使用 DIW 即可在 ≥65nm 处实现大于 95% 的 Si3N4 颗粒,这表明使用全覆盖兆声波增强了较小和较大颗粒尺寸的颗粒去除。>99% 的 PRE 值是通过使用稀释...
华林科纳---半导体湿法化学刻蚀工艺观察 引言 湿化学蚀刻广泛应用于制造半导体。在制造中,成膜和化学蚀刻的过程交替重复以产生非常小的铝层。根据蚀刻层横截面的几何形状,由于应力局部作用在蚀刻层上构造的层上,经常出现裂纹。因此,通过蚀刻产生具有所需横截面几何形状的铝层是重要的驱动环节之一。在湿化学蚀刻中,蚀刻...
书籍:《华林科纳-半导体工艺》 文章:植入物表面的钛纳米级蚀刻 编号:JFKJ-21-980 作者:华林科纳 引言 在本方法中,我们旨在比较各种技术的性能检测金属污染的硅技术。将诸如全反射X射线荧光(TXRF)和飞行时间二次离子质谱等表面污染测量技术与硅体积污染测量技术进行了比较,特别是深能级瞬态光谱学和载流子寿命测量技术...